Для цитирования:

Александров О.В., Морозов Н.Н. Модель асимметричного сдвига порогового напряжения МОП-структур при термополевых обработках. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2025;28(2):69-79. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2025-28-2-69-79

For citation:

Aleksandrov O.V., Morozov N.N. Modeling Asymmetric Shift in the Threshold Voltage of MOS Structures under Thermal Field Treatment. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2025;28(2):69-79. (In Russ.) https://doi.org/10.32603/1993-8985-2025-28-2-69-79