Мегаваттный генератор наносекундных импульсов на основе карбидокремниевых дрейфовых диодов с резким восстановлением
Аннотация
Представлены экспериментальные результаты исследования коммутационных характеристик высоковольтных карбидокремниевых коммутаторов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) и разработанного на их основе генератора наносекундных импульсов напряжения с мегаваттной импульсной мощностью. Впервые показана возможность последовательной компрессии энергии включенными параллельно кремниевым и карбидокремниевым каскадами ДДРВ.
Об авторах
А. В. Афанасьев
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
Ю. А. Демин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
Б. В. Иванов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
В. А. Ильин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
В. В. Лучинин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
К. А. Сергушичев
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
А. А. Смирнов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”
Россия
Россия
А. Ф. Кардо-Сысоев
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Россия
Россия
Список литературы
1. Grekhov I. V., Mesyats G. A. Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching // Phys.- Usp. 2005. Vol. 48, № 7. P. 703-712.
2. Дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе карбида кремния / А. В. Афанасьев, Б. В. Иванов, В. А. Ильин и др. // Микроэлектроника СВЧ: Всерос. конф., СПб., 4-7 июня 2012. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. С. 260-262.
3. Высоковольтный миниатюрный карбидокремниевый источник наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений / А. В. Афанасьев, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. А. Смирнов и др. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 2. С. 30-32.
4. Трехкиловольтный генератор наносекундных импульсов напряжения на 4H-SiC-диодных сборках / А. В. Афанасьев, С. С. Борисенко, А. А. Смирнов и др. // Электроника и микроэлектроника СВЧ: III Всерос. науч.-техн. конф., СПб., 2-5 июня 2014. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 407-412.
5. Kardo-Sysoev A. F. New power semiconductor devices for generation of nano- and subnanosecond pulses // Ultra-wideband radar technology / ed. by J. D. Taylor. London: CRC Press, 2000. P. 205-290.
6. Грехов И. В., Ефанов В. М., Кардо-Сысоев А. Ф. Мощный полупроводниковый генератор пикосекундных импульсов // Приборы и техника эксперимента. 1984. Т. 5, № 5. С.93-93.
Рецензия
Для цитирования:
Афанасьев А.В., Демин Ю.А., Иванов Б.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Сергушичев К.А., Смирнов А.А., Кардо-Сысоев А.Ф. Мегаваттный генератор наносекундных импульсов на основе карбидокремниевых дрейфовых диодов с резким восстановлением. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2015;(3):21-24.
For citation:
Afanasiev A.V., Demin J.A., Ivanov B.V., Ilin V.A., Luchinin V.V., Serguibchev K.A., Smirnov A.A., Kardo-Sysoev A.F. Megawatt generator of nanosecond impulses on the basis of carbide-silicon drift diodes with sharp restoration. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2015;(3):21-24. (In Russ.)
Просмотров: 2448
Послать статью по эл. почте 