radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-30Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВENGINEERING DESIGN AND TECHNOLOGIES OF RADIO ELECTRONIC FACILITIESМегаваттный генератор наносекундных импульсов на основе карбидокремниевых дрейфовых диодов с резким восстановлениемMegawatt generator of nanosecond impulses on the basis of carbide-silicon drift diodes with sharp restorationАфанасьевА. В.AfanasievA. V.a_afanasjev@mail.ruДеминЮ. А.DeminJ. A.yurademin57@yandex.ruИвановБ. В.IvanovB. V.BVIvanov@yandex.ruИльинВ. А.IlinV. A.ilyincmid@gmail.comЛучининВ. В.LuchininV. V.cmid_leti@mail.ruСергушичевК. А.SerguibchevK. A.kirjankirjan@gmail.comСмирновА. А.SmirnovA. A.cmid@inbox.ruКардо-СысоевА. Ф.Kardo-SysoevA. F.alx@helen.ioffe.rssi.ruСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ”РоссияSaint Petersburg state electrotechnical university "LETI"Russian FederationФизико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАНРоссияIoffe institute of RAS (Saint Petersburg)Russian Federation201528062015032124Copyright © Афанасьев А.В., Демин Ю.А., Иванов Б.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Сергушичев К.А., Смирнов А.А., Кардо-Сысоев А.Ф., 20152015Афанасьев А.В., Демин Ю.А., Иванов Б.В., Ильин В.А., Лучинин В.В., Сергушичев К.А., Смирнов А.А., Кардо-Сысоев А.Ф.Afanasiev A.V., Demin J.A., Ivanov B.V., Ilin V.A., Luchinin V.V., Serguibchev K.A., Smirnov A.A., Kardo-Sysoev A.F.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/30

Представлены экспериментальные результаты исследования коммутационных характеристик высоковольтных карбидокремниевых коммутаторов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) и разработанного на их основе генератора наносекундных импульсов напряжения с мегаваттной импульсной мощностью. Впервые показана возможность последовательной компрессии энергии включенными параллельно кремниевым и карбидокремниевым каскадами ДДРВ.

Experimental results of research of switching characteristics of high-voltage carbide-silicon switchboards on the basis of drift diodes with sharp restoration (DDSR) and the generator of nanosecond voltage impulses developed on their basis with a megawatt pulse power are presented. Possibility of a consecutive compression of energy is for the first time shown by the DDSR cascades which are switched on parallel to silicon and carbide-silicon.

Карбид кремниядрейфовые диоды с резким восстановлениемнаносекундные импульсы напряжениявысоковольтные диодные сборкиSilicon carbidedrift diodes with sharp restorationnanosecond voltage impulseshigh-voltage diode assembliesReferencesGrekhov I. V., Mesyats G. A. Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching // Phys.- Usp. 2005. Vol. 48, № 7. P. 703-712.Grekhov I. V., Mesyats G. A. Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching // Phys.- Usp. 2005. Vol. 48, № 7. P. 703-712.Дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе карбида кремния / А. В. Афанасьев, Б. В. Иванов, В. А. Ильин и др. // Микроэлектроника СВЧ: Всерос. конф., СПб., 4-7 июня 2012. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. С. 260-262.Дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе карбида кремния / А. В. Афанасьев, Б. В. Иванов, В. А. Ильин и др. // Микроэлектроника СВЧ: Всерос. конф., СПб., 4-7 июня 2012. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. С. 260-262.Высоковольтный миниатюрный карбидокремниевый источник наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений / А. В. Афанасьев, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. А. Смирнов и др. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 2. С. 30-32.Высоковольтный миниатюрный карбидокремниевый источник наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений / А. В. Афанасьев, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. А. Смирнов и др. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 2. С. 30-32.Трехкиловольтный генератор наносекундных импульсов напряжения на 4H-SiC-диодных сборках / А. В. Афанасьев, С. С. Борисенко, А. А. Смирнов и др. // Электроника и микроэлектроника СВЧ: III Всерос. науч.-техн. конф., СПб., 2-5 июня 2014. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 407-412.Трехкиловольтный генератор наносекундных импульсов напряжения на 4H-SiC-диодных сборках / А. В. Афанасьев, С. С. Борисенко, А. А. Смирнов и др. // Электроника и микроэлектроника СВЧ: III Всерос. науч.-техн. конф., СПб., 2-5 июня 2014. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 407-412.Kardo-Sysoev A. F. New power semiconductor devices for generation of nano- and subnanosecond pulses // Ultra-wideband radar technology / ed. by J. D. Taylor. London: CRC Press, 2000. P. 205-290.Kardo-Sysoev A. F. New power semiconductor devices for generation of nano- and subnanosecond pulses // Ultra-wideband radar technology / ed. by J. D. Taylor. London: CRC Press, 2000. P. 205-290.Грехов И. В., Ефанов В. М., Кардо-Сысоев А. Ф. Мощный полупроводниковый генератор пикосекундных импульсов // Приборы и техника эксперимента. 1984. Т. 5, № 5. С.93-93.Грехов И. В., Ефанов В. М., Кардо-Сысоев А. Ф. Мощный полупроводниковый генератор пикосекундных импульсов // Приборы и техника эксперимента. 1984. Т. 5, № 5. С.93-93.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.