Preview

Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника

Расширенный поиск

Селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au-AlGaN

Полный текст:

Аннотация

Созданы и исследованы селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au-AlGaN для ультрафиолетового диапазона спектра. Показаны методы управления спектром фоточувствительности за счет применения эффектов широкозонного окна и надбарьерного переноса в структурах Au-AlGaN. Получены фотодиоды с полушириной спектра фото-чувствительности 5…6 нм для длин волн 351…373 нм и чувствительностью до 140 мА/Вт.

Об авторах

А. С. Евсеенков
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


И. А. Ламкин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


И. И. Михайлов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


А. В. Соломонов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


С. А. Тарасов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


Список литературы

1. Future of AlxGal-xN Materials and Device Technology for Ultraviolet Photodetectors / P. Kung, A. Yasan, R. McClintock, S. Darvish, K. Mi, M. Razeghi et al. // Proc. SPIE. 2002. № 4650. P. 199-206.

2. Высокоэффективные приборы на основе барьера Шотки металл-AlGaN / Б. В. Калинин, И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2012. № 5. С. 24-30.

3. Lamkin I., Tarasov S. Ultraviolet Photodiodes Based on Algan Solid Solutions // J. of Physics: Conference Series. 2013. Vol. 461. P. 012025(1-4).

4. Ulmer M., Razeghi M., Bigan E. Ultra-Violet Detectors for Astrophysics // Proc. SPIE. 1995. № 2397: Present and Future. P. 210-216.

5. Research of the Solar-Blind and Visible-Blind Photodetectors, based on the Algan Solid Solutions / I. A. Lamkin, S. A. Tarasov, A. A. Petrov, E. A. Menkovixh, А. В. Solomonov, S. Yu. Kurin // J. of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 572. P. 012063(1-6).

6. Menkovich E. A., Tarasov S. A., Lamkin I. A. Luminescence of Nanostructures Based on Semiconductor Nitrides // Functional Materials. 2012. Vol. 19, № 2. P. 233-237.

7. Ламкин И. А., Менькович Е. А., Тарасов С. А. Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия // Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. № 3. С. 28-31.

8. Low-Frequency Noise in Al0.4Ga0.6N-Based Schottky Barrier Photodetectors / S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan // Applied Physics Letters. 2001. № 79 (6). P. 866-858.

9. Ламкин И. А., Тарасов С. А., Феоктистов А. О. Оптимизация технологии получения омических контактов к эпитаксиальным слоям р-GaN // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2011. № 5. С. 14-17.

10. Оптимизация параметров контактов металл-твердые растворы AlGaN как основы фотодетекторов для ультрафиолетового диапазона спектра / И. А. Ламкин, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, А. А. Петров // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2013. Вып. 5. С. 80-84.


Для цитирования:


Евсеенков А.С., Ламкин И.А., Михайлов И.И., Соломонов А.В., Тарасов С.А. Селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au-AlGaN. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2016;(1):54-58.

For citation:


Evseenkov A.S., Lamkin I.A., Mikhailov I.I., Solomonov A.V., Tarasov S.A. Selective Photosensitive Structures Based On Au-Algan Schottky Barrier. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2016;(1):54-58. (In Russ.)

Просмотров: 30


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)
ISSN 2658-4794 (Online)