radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-82Research ArticleМИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКАMICRO- AND NANOELECTRONICSСелективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au-AlGaNSelective Photosensitive Structures Based On Au-Algan Schottky BarrierЕвсеенковА. С.EvseenkovA. S.as.evseenkov@gmail.comЛамкинИ. А.LamkinI. A.ialamkin@mail.ruМихайловИ. И.MikhailovI. I.iimihalov@gmail.comСоломоновА. В.SolomonovA. V.AVSolomonov@inbox.ruТарасовС. А.TarasovS. A.SATarasov@mail.ruСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)РоссияSaint Petersburg Electrotechnical University "LETI"Russian Federation201628022016015458Copyright © Евсеенков А.С., Ламкин И.А., Михайлов И.И., Соломонов А.В., Тарасов С.А., 20162016Евсеенков А.С., Ламкин И.А., Михайлов И.И., Соломонов А.В., Тарасов С.А.Evseenkov A.S., Lamkin I.A., Mikhailov I.I., Solomonov A.V., Tarasov S.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/82

Созданы и исследованы селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au-AlGaN для ультрафиолетового диапазона спектра. Показаны методы управления спектром фоточувствительности за счет применения эффектов широкозонного окна и надбарьерного переноса в структурах Au-AlGaN. Получены фотодиоды с полушириной спектра фото-чувствительности 5…6 нм для длин волн 351…373 нм и чувствительностью до 140 мА/Вт.

Created and studied selective photosensitive structures based on Au-AlGaN Schottky barrier for the ultraviolet range of the spectrum. The methods of spectrum management photosensitivity by the use of the wide windows and the effects of over-barrier transport structures Au-AlGaN. Photodiodes obtained with a half-width of the spectrum of photosensitivity 5…6 nm wavelengths 351…373 nm and a sensitivity of 140 mA/W.

Фотодиодультрафиолетовая областьбарьер ШоткиAlGaNPhotodiodeAlGaNultraviolet rangeSchottky barrierReferencesFuture of AlxGal-xN Materials and Device Technology for Ultraviolet Photodetectors / P. Kung, A. Yasan, R. McClintock, S. Darvish, K. Mi, M. Razeghi et al. // Proc. SPIE. 2002. № 4650. P. 199-206.Future of AlxGal-xN Materials and Device Technology for Ultraviolet Photodetectors / P. Kung, A. Yasan, R. McClintock, S. Darvish, K. Mi, M. Razeghi et al. // Proc. SPIE. 2002. № 4650. P. 199-206.Высокоэффективные приборы на основе барьера Шотки металл-AlGaN / Б. В. Калинин, И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2012. № 5. С. 24-30.Высокоэффективные приборы на основе барьера Шотки металл-AlGaN / Б. В. Калинин, И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2012. № 5. С. 24-30.Lamkin I., Tarasov S. Ultraviolet Photodiodes Based on Algan Solid Solutions // J. of Physics: Conference Series. 2013. Vol. 461. P. 012025(1-4).Lamkin I., Tarasov S. Ultraviolet Photodiodes Based on Algan Solid Solutions // J. of Physics: Conference Series. 2013. Vol. 461. P. 012025(1-4).Ulmer M., Razeghi M., Bigan E. Ultra-Violet Detectors for Astrophysics // Proc. SPIE. 1995. № 2397: Present and Future. P. 210-216.Ulmer M., Razeghi M., Bigan E. Ultra-Violet Detectors for Astrophysics // Proc. SPIE. 1995. № 2397: Present and Future. P. 210-216.Research of the Solar-Blind and Visible-Blind Photodetectors, based on the Algan Solid Solutions / I. A. Lamkin, S. A. Tarasov, A. A. Petrov, E. A. Menkovixh, А. В. Solomonov, S. Yu. Kurin // J. of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 572. P. 012063(1-6).Research of the Solar-Blind and Visible-Blind Photodetectors, based on the Algan Solid Solutions / I. A. Lamkin, S. A. Tarasov, A. A. Petrov, E. A. Menkovixh, А. В. Solomonov, S. Yu. Kurin // J. of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 572. P. 012063(1-6).Menkovich E. A., Tarasov S. A., Lamkin I. A. Luminescence of Nanostructures Based on Semiconductor Nitrides // Functional Materials. 2012. Vol. 19, № 2. P. 233-237.Menkovich E. A., Tarasov S. A., Lamkin I. A. Luminescence of Nanostructures Based on Semiconductor Nitrides // Functional Materials. 2012. Vol. 19, № 2. P. 233-237.Ламкин И. А., Менькович Е. А., Тарасов С. А. Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия // Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. № 3. С. 28-31.Ламкин И. А., Менькович Е. А., Тарасов С. А. Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия // Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. № 3. С. 28-31.Low-Frequency Noise in Al0.4Ga0.6N-Based Schottky Barrier Photodetectors / S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan // Applied Physics Letters. 2001. № 79 (6). P. 866-858.Low-Frequency Noise in Al0.4Ga0.6N-Based Schottky Barrier Photodetectors / S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan // Applied Physics Letters. 2001. № 79 (6). P. 866-858.Ламкин И. А., Тарасов С. А., Феоктистов А. О. Оптимизация технологии получения омических контактов к эпитаксиальным слоям р-GaN // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2011. № 5. С. 14-17.Ламкин И. А., Тарасов С. А., Феоктистов А. О. Оптимизация технологии получения омических контактов к эпитаксиальным слоям р-GaN // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2011. № 5. С. 14-17.Оптимизация параметров контактов металл-твердые растворы AlGaN как основы фотодетекторов для ультрафиолетового диапазона спектра / И. А. Ламкин, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, А. А. Петров // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2013. Вып. 5. С. 80-84.Оптимизация параметров контактов металл-твердые растворы AlGaN как основы фотодетекторов для ультрафиолетового диапазона спектра / И. А. Ламкин, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, А. А. Петров // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2013. Вып. 5. С. 80-84.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.