Моделирование и оптимизация функции качества технологических процессов формирования функциональных покрытий и пленок

Полный текст:


Аннотация

Рассмотрено моделирование процессов формирования тонких пленок в установках магнетронного распыления. Моделирование основано на вероятностном подходе и интеграции точечных испарителей. При моделировании учитывались относительное распределение толщины тонких пленок и эффективность массопереноса частиц. Выполнено сравнение результатов компьютерного моделирования и эксперимента; решена обратная задача оптимизации процесса с использованием введенной функции качества, учитывающей равномерность синтезируемых тонких пленок, расход материалов и геометрию области распыления.

Об авторах

В. А. Тупик
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


Ч. Шы. Чу
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


И. Стеблевска
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


Список литературы

1. Основы синтеза наноразмерных частиц и пленок / В. И. Грачев, В. А. Жабрев, В. И. Марголин, В. А. Тупик. Ижевск: Удмуртия, 2014. 480 с.

2. Кузьмичёв А. И. Магнетронные распылительные системы. Кн.1: Введение в физику и технику магнетронного распыления. Киев: Аверс, 2008. 244 с.

3. Грачёв В. И., Марголин В. И., Тупик В. А. Резонансные явления при магнетронном напылении металлических нанопленок в локальном поле на подложке // Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. 2014. Т. 6, № 1. С. 18-29.

4. Чу Чонг Шы, Бабичев Д. А. Моделирование процессов массопереноса при термическом вакуумном напылении тонких пленок // 67-я науч.-техн. конф. профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). 27 янв.-3 февр. 2014 г.: сб. докл. студентов, аспирантов и молодых ученых. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 29-33.

5. Мартыненко Ю. В., Рогов А. В., Шульга В. И. Угловое распределение атомов при магнетронном распылении поликристаллических мишеней // Журн. технической физики. 2012. Т. 82, вып. 4. С. 13-18.

6. Пугачев В. С. Теория вероятностей и математическая статистика. М.: Наука, 1979. 496 с.

7. Голосов Д. А., Завадский С. М., Мельников С. Н. Сквозное моделирование процессов нанесения покрытий при магнетронном распылении // Вестн. ПГУ. Сер. С. Фундаментальные науки / Полоцкий гос. ун-т. Полоцк, 2013. № 4. С. 75-82.

8. Характеристики плазмы несбалансированной магнетронной распылительной системы и их влияние на параметры покрытий ZnO:Ga / А. А. Соловьев, А. Н. Захаров, С. В. Работкин и др. // Физика и химия обработки материалов. 2009. № 2. С. 58-65.

9. Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов. Моделирование в среде MathLab: практикум / под ред. Г. Д. Кузнецова. М.: МиСиС, 2001. 48 с.

10. Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2015610057. Компьютерное моделирование процесса термического вакуумного напыления методом молекулярной динамики (ТВН методом МД) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Зарег. 12.01.2015.

11. Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2015610052. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок в потенциальном поле (Рост тонких пленок) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Зарег. 12.01.2015.

12. Моделирование процесса роста тонких пленок при магнетронном распылении методом Монте-Карло / В. А. Тупик, В. И. Марголин, Чу Чонг Шы, Чан Куок Тоан // Тр. 12-й междунар. конф. "Пленки и покрытия - 2015". 19-22 мая 2015 г. / под ред. д-ра техн. наук В. Г. Кузнецова. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2015. С. 148-150.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Тупик В.А., Чу Ч.Ш., Стеблевска И. Моделирование и оптимизация функции качества технологических процессов формирования функциональных покрытий и пленок. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2015;(5):15-19.

For citation: Tupik V.A., Chu T.S., Steblevska I. The simulation and the optimization of the quality function of the process of the nanoscale film’s growth. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2015;(5):15-19. (In Russ.)

Просмотров: 22

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)