<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">radioelectronics</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Journal of the Russian Universities. Radioelectronics</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1993-8985</issn><issn pub-type="epub">2658-4794</issn><publisher><publisher-name>Saint Petersburg Electrotechnical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">radioelectronics-54</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>ENGINEERING DESIGN AND TECHNOLOGIES OF RADIO ELECTRONIC FACILITIES</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Моделирование и оптимизация функции качества технологических процессов формирования функциональных покрытий и пленок</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>The simulation and the optimization of the quality function of the process of the nanoscale film’s growth</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Тупик</surname><given-names>В. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Tupik</surname><given-names>V. A.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">Vatupik@etu.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Чу</surname><given-names>Ч. Шы.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Chu</surname><given-names>T. Su.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">chusu171@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Стеблевска</surname><given-names>И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Steblevska</surname><given-names>I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">isteblevska@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2015</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>28</day><month>10</month><year>2015</year></pub-date><volume>0</volume><issue>5</issue><fpage>15</fpage><lpage>19</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Тупик В.А., Чу Ч.Ш., Стеблевска И., 2015</copyright-statement><copyright-year>2015</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Тупик В.А., Чу Ч.Ш., Стеблевска И.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Tupik V.A., Chu T.S., Steblevska I.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://re.eltech.ru/jour/article/view/54">https://re.eltech.ru/jour/article/view/54</self-uri><abstract><p>Рассмотрено моделирование процессов формирования тонких пленок в установках магнетронного распыления. Моделирование основано на вероятностном подходе и интеграции точечных испарителей. При моделировании учитывались относительное распределение толщины тонких пленок и эффективность массопереноса частиц. Выполнено сравнение результатов компьютерного моделирования и эксперимента; решена обратная задача оптимизации процесса с использованием введенной функции качества, учитывающей равномерность синтезируемых тонких пленок, расход материалов и геометрию области распыления. </p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>The modeling of processes of formation of thin films in magnetron sputtering systems in the substrate potential field at different ratios of relations between the sprayed material and the substrate for various types of structures of the substrate is considered. Growth models of thin films point emitters integration method with the use of Monte-Carlo algorithms with accounting of the annealing are used. The comparison of results of computer simulation and experiment is executed; the inverse problem to optimization process using the quality function that takes into account the uniformity of the synthesized thin films, the flow of materials and the geometry of the spray is solved. </p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>Тонкие пленки</kwd><kwd>магнетронное распыление</kwd><kwd>компьютерное моделирование</kwd><kwd>метод Монте-Карло</kwd><kwd>метод молекулярной динамики</kwd><kwd>функция качества покрытия</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>Thin films</kwd><kwd>magnetron sputtering</kwd><kwd>computer simulation</kwd><kwd>Monte-Carlo method</kwd><kwd>molecular dynamics method</kwd><kwd>quality function</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Основы синтеза наноразмерных частиц и пленок / В. И. Грачев, В. А. Жабрев, В. И. Марголин, В. А. Тупик. Ижевск: Удмуртия, 2014. 480 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Основы синтеза наноразмерных частиц и пленок / В. И. Грачев, В. А. Жабрев, В. И. Марголин, В. А. Тупик. Ижевск: Удмуртия, 2014. 480 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кузьмичёв А. И. Магнетронные распылительные системы. Кн.1: Введение в физику и технику магнетронного распыления. Киев: Аверс, 2008. 244 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Кузьмичёв А. И. Магнетронные распылительные системы. Кн.1: Введение в физику и технику магнетронного распыления. Киев: Аверс, 2008. 244 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Грачёв В. И., Марголин В. И., Тупик В. А. Резонансные явления при магнетронном напылении металлических нанопленок в локальном поле на подложке // Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. 2014. Т. 6, № 1. С. 18-29.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Грачёв В. И., Марголин В. И., Тупик В. А. Резонансные явления при магнетронном напылении металлических нанопленок в локальном поле на подложке // Радиоэлектроника. Наносистемы. Информационные технологии. 2014. Т. 6, № 1. С. 18-29.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Чу Чонг Шы, Бабичев Д. А. Моделирование процессов массопереноса при термическом вакуумном напылении тонких пленок // 67-я науч.-техн. конф. профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). 27 янв.-3 февр. 2014 г.: сб. докл. студентов, аспирантов и молодых ученых. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 29-33.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Чу Чонг Шы, Бабичев Д. А. Моделирование процессов массопереноса при термическом вакуумном напылении тонких пленок // 67-я науч.-техн. конф. профессорско-преподавательского состава СПбГЭТУ "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). 27 янв.-3 февр. 2014 г.: сб. докл. студентов, аспирантов и молодых ученых. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 29-33.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мартыненко Ю. В., Рогов А. В., Шульга В. И. Угловое распределение атомов при магнетронном распылении поликристаллических мишеней // Журн. технической физики. 2012. Т. 82, вып. 4. С. 13-18.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Мартыненко Ю. В., Рогов А. В., Шульга В. И. Угловое распределение атомов при магнетронном распылении поликристаллических мишеней // Журн. технической физики. 2012. Т. 82, вып. 4. С. 13-18.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Пугачев В. С. Теория вероятностей и математическая статистика. М.: Наука, 1979. 496 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Пугачев В. С. Теория вероятностей и математическая статистика. М.: Наука, 1979. 496 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Голосов Д. А., Завадский С. М., Мельников С. Н. Сквозное моделирование процессов нанесения покрытий при магнетронном распылении // Вестн. ПГУ. Сер. С. Фундаментальные науки / Полоцкий гос. ун-т. Полоцк, 2013. № 4. С. 75-82.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Голосов Д. А., Завадский С. М., Мельников С. Н. Сквозное моделирование процессов нанесения покрытий при магнетронном распылении // Вестн. ПГУ. Сер. С. Фундаментальные науки / Полоцкий гос. ун-т. Полоцк, 2013. № 4. С. 75-82.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Характеристики плазмы несбалансированной магнетронной распылительной системы и их влияние на параметры покрытий ZnO:Ga / А. А. Соловьев, А. Н. Захаров, С. В. Работкин и др. // Физика и химия обработки материалов. 2009. № 2. С. 58-65.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Характеристики плазмы несбалансированной магнетронной распылительной системы и их влияние на параметры покрытий ZnO:Ga / А. А. Соловьев, А. Н. Захаров, С. В. Работкин и др. // Физика и химия обработки материалов. 2009. № 2. С. 58-65.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов. Моделирование в среде MathLab: практикум / под ред. Г. Д. Кузнецова. М.: МиСиС, 2001. 48 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Никоненко В. А. Математическое моделирование технологических процессов. Моделирование в среде MathLab: практикум / под ред. Г. Д. Кузнецова. М.: МиСиС, 2001. 48 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2015610057. Компьютерное моделирование процесса термического вакуумного напыления методом молекулярной динамики (ТВН методом МД) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Зарег. 12.01.2015.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2015610057. Компьютерное моделирование процесса термического вакуумного напыления методом молекулярной динамики (ТВН методом МД) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Зарег. 12.01.2015.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2015610052. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок в потенциальном поле (Рост тонких пленок) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Зарег. 12.01.2015.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ № 2015610052. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок в потенциальном поле (Рост тонких пленок) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Зарег. 12.01.2015.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Моделирование процесса роста тонких пленок при магнетронном распылении методом Монте-Карло / В. А. Тупик, В. И. Марголин, Чу Чонг Шы, Чан Куок Тоан // Тр. 12-й междунар. конф. "Пленки и покрытия - 2015". 19-22 мая 2015 г. / под ред. д-ра техн. наук В. Г. Кузнецова. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2015. С. 148-150.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Моделирование процесса роста тонких пленок при магнетронном распылении методом Монте-Карло / В. А. Тупик, В. И. Марголин, Чу Чонг Шы, Чан Куок Тоан // Тр. 12-й междунар. конф. "Пленки и покрытия - 2015". 19-22 мая 2015 г. / под ред. д-ра техн. наук В. Г. Кузнецова. СПб.: Изд-во Политехн. ун-та, 2015. С. 148-150.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
