Preview

Войти

Регистрация нового пользователя Забыли Ваш пароль?

Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:

Мокрушина С.А., Романов Н.М. Сравнение отклика МОП-транзистора на воздействие рентгеновского и гамма-облучения. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2020;23(1):30-40. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2020-23-1-30-40

For citation:

Mokrushina S.A., Romanov N.M. Comparison of the MOSFET Response at Exposed of the X-Ray and Gamma Radiation. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2020;23(1):30-40. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2020-23-1-30-40

Просмотров: 85


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)
ISSN 2658-4794 (Online)

197022, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5, литера Ф, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
Тел.: +7 (812) 234-10-13,
e-mail: radioelectronic@yandex.ru

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Elpub)