Полноэкранный режим

Для цитирования: Федотов С.Д., Тимошенков С.П., Соколов Е.М., Стаценко В.Н. Мониторинг структурного качества границы раздела "кремний-сапфир" методом поверхностной фотоЭДС. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2017;(5):28-35.

For citation: Fedotov S.D., Timoshenkov S.P., Sokolov E.M., Statsenko V.N. The Monitoring of Structural Quality of Silicon-Sapphire Interface by the Surface Photovoltage Method. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2017;(5):28-35. (In Russ.)

Просмотров: 19

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)

197376, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5, корп. 5Ж, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
Тел.: +7 (812) 234-10-13,
e-mail: radioelectronic@yandex.ru

создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Elpub)
powered by PKP OJS