Компьютерное моделирование процессов роста тонких пленок при термическом вакуумном напылении

Полный текст:


Аннотация

Рассмотрены различные механизмы процесса роста тонких пленок на атомном уровне с учетом различных факторов при термическом вакуумном напылении. Продемонстрировано влияние этих факторов на качество получаемых пленок. При промежуточном механизме процесса роста тонких пленок для определения номера частицы применен метод Монте-Карло, для определения направления движения выбранной частицы - квазиньютоновский решетчатый метод. Проанализирован процесс фрактального роста с учетом всех факторов. Рассмотрены возможности управления процессом роста тонких пленок.

Об авторе

Ч. Шы. Чу
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия


Список литературы

1. Физико-химические процессы синтеза наноразмерных объектов / В. А. Жабрев, В. Т. Калинников, В. И. Марголин и др. СПб.: Элмор, 2012. 328 с.

2. Компьютерное моделирование процессов синтеза наноразмерных плёнок / В. И. Марголин, Л. Ю. Аммон, Д. А. Бабичев, В. С. Фантиков, Чу Чонг Шы // Изв. Академии инженерных наук им. А. М. Прохорова. 2015. № 1. С. 7-13.

3. Modeling Processes of Nanoparticle Synthesis and Analyzing the Results via SEM / V. A. Zhabrev, V. I. Margolin, V. A. Tupik, Chu Trong Su // Bul. of the Russian Academy of Sciences. Physics. 2015. Vol. 79, № 11. P. 1498-1500.

4. Simulating the Aggregation of Nanoparticles on a Substrate Surface upon Vacuum Deposition / V. A. Zhabrev, V. I. Margolin, V.A. Tupik, Chu Trong Su // J. of Surface Investigation, X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Vol. 9, № 5. P. 877-879.

5. Марголин В. И., Жабрев В. А., Тупик В. А. Физические основы микроэлектроники : учеб. для студ. высш. учеб. заведений. М.: Академия, 2008. 400 с.

6. Чу Чонг Шы, Бабичев Д. А. Моделирование процессов массопереноса при термическом вакуумном напылении тонких пленок // Сб. докл. 67-й науч.-техн. конф. профессорско-преподавательского состава электротехнического университета "ЛЭТИ", СПб., 27 янв.-3 февр. 2014 г. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 29-33.

7. Rieth М. Nano-Engineering in Science and Technology: An Introduction to the World of Nano-Design // Series on the Foundations of Natural Science and Technology. Vol. 6. New Jersey: World Scientific, 2003. 163 p.

8. Ибрагимов И. М., Ковшов А. Н., Назаров Ю. Ф. Основы компьютерного моделирования наносистем. СПб.: Лань, 2010. 376 с.

9. Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин и др. М.: Наука, 2006. 490 с.

10. Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ RU 2015610052. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок в потенциальном поле (Рост тонких пленок) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Опубл. 20.02.2015.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Чу Ч.Ш. Компьютерное моделирование процессов роста тонких пленок при термическом вакуумном напылении. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2016;(6):22-31.

For citation: Chu T.S. Computer Simulation of the Thin Film’s Growth Process during Thermal Vacuum Evaporation. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2016;(6):22-31. (In Russ.)

Просмотров: 15

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)
ISSN 2658-4794 (Online)