Preview

Войти

Регистрация нового пользователя Забыли Ваш пароль?

Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:

Сапожников А.В., Крюков Р.С., Баранов А.И., Дудин А.Л., Перепеловский В.В. Исследование DX-центров в AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2026;29(3):70-81. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2026-29-3-70-81

For citation:

Sapozhnikov A.V., Kryukov R.S., Baranov A.I., Dudin A.L., Perepelovskiy V.V. Study of DX centers in AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMT. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2026;29(3):70-81. (In Russ.) https://doi.org/10.32603/1993-8985-2026-29-3-70-81

Просмотров PDF (Rus): 72

JATS XML


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)
ISSN 2658-4794 (Online)

197022, Санкт-Петербург, ул. Проф. Попова, 5, литера Ф, СПбГЭТУ «ЛЭТИ»,
Тел.: +7 (812) 234-10-13,
e-mail: radioelectronic@yandex.ru

Обработка персональных данных
создано и поддерживается NEICON
(лаборатория Elpub)