Рентгеновская литография для реализации наноразмерных изображений
https://doi.org/10.32603/1993-8985-2026-29-3-44-56
Аннотация
Введение. Обсуждаются вопросы, связанные с групповыми методами создания защитной маски на подложке в процессах высокоразрешающей проекционной рентгеновской литографии.
Цель работы. Исследование литографических характеристик рентгенорезистов, особенностей применения различных режимов.
Материалы и методы. Исследования проводились с помощью рентгеновского спектрометра-монохроматора РСМ-500. Коэффициенты поглощения измерялись на монохроматических рентгеновских линиях в диапазоне длин волн 5…50 Å. Толщина пленок контролировалась с помощью интерференционного микроскопа МИИ-4.
Результаты. Получены зависимости коэффициентов поглощения резистов в области мягкого рентгеновского излучения (5…50 Å). При достижении определенной длины волны наблюдается резкий скачок коэффициента поглощения. Обнаружены скачки поглощения при длинах волн 23 и 43 Å. Это связано с тем, что энергия квантов рентгеновского излучения становится достаточной для ионизации электронов с определенного энергетического уровня атомов поглощающего вещества. Показано, что коэффициент поглощения рентгеновских лучей возрастает с увеличением их длины волны. Между скачками поглощения в некоторых диапазонах коэффициент может быть аппроксимирован гладкой функцией. Предложены аналитические аппроксимации полученных зависимостей в виде степенных функций, проведено сравнение экспериментальных данных с расчетными значениями, показавшее удовлетворительное согласие.
Заключение. Описана и представлена методика измерения коэффициентов поглощения рентгенорезистов. Экспериментально получены данные по поглощению в различных резистах рентгеновского излучения с различными волновыми характеристиками.
Об авторах
А. А. ИвановРоссия
Иванов Аркадий Анатольевич – доктор технических наук (2018), профессор (2020) кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
В. И. Марголин
Россия
Марголин Владимир Игоревич – доктор технических наук (1998), профессор (1999) кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
А. В. Никифоров
Россия
Никифоров Андрей Викторович – кандидат физико-математических наук (1987), ведущий специалист по инновационной деятельности
ул. Курчатова, д. 9, Санкт-Петербург, 194223
Вьет Ан Нгуен
Россия
Нгуен Вьет Ан – специалист по специальности "Радиоэлектронные системы" (2016, Ярославское высшее военное училище противовоздушной обороны), аспирант кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
Г. В. Петрова
Россия
Петрова Галина Васильевна – кандидат технических наук (1989), доцент (1993) кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
А. И. Протченко
Россия
Протченко Артемий Игоревич – инженер по специальности "Материаловедение и технологии новых материалов" (1998, Ленинградский горный институт), заместитель генерального директора по государственному оборонному заказу
ул. Цветочная, д. 25, к. 3, лит. Б, Санкт-Петербург, 196006
А. А. Рассадина
Россия
Рассадина Анна Александровна – кандидат технических наук (2007), доцент кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
В. А. Тупик
Россия
Тупик Виктор Анатольевич – доктор технических наук (2011), профессор (2014) кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
Н. Н. Шарова
Россия
Шарова Наталья Николаевна – инженер по специальности "Прикладная математика и информатика" (1997, Восточноукраинский национальный университет им. Владимира Даля), заместитель генерального директора
ул. Цветочная, д. 25, к. 3, лит. Б, Санкт-Петербург, 196006
И. С. Шолина
Россия
Шолина Ирина Серафимовна – инженер конструктор-технолог радиоаппаратуры (1972, Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ)), старший преподаватель, заместитель заведующего кафедрой микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры
ул. Проф. Попова, д. 5 Ф, Санкт-Петербург, 197022
А. В. Корбут
Россия
Корбут Андрей Владимирович – магистр по материаловедению и технологии материалов (2023, СПбГТИ), руководитель сектора гальванических покрытий. Аспирант кафедры химической нанотехнологии и материалов электронной техники
ул. Курчатова, д. 9, Санкт-Петербург, 194223
Список литературы
1. Кузьмин С., Матвеев В. Интерференционная рентгенолитография для упорядоченных наноструктур // Электроника: НТБ. 2014. Спец. вып. 00137. С. 47‒56.
2. Павлова А. П., Клементьева Д. О. Рентгенолитография как современный метод нанолитографии // Материалы Междунар. науч.-практ. форума студентов, аспирантов и молодых ученых: в 3 ч. Ч. 1. СПб.: Изд-во СПбГИКиТ, 2021. С. 160‒170.
3. Артюков И. А. Оптическая и рентгеновская микролитография на рубеже веков // Квантовая электроника. 2022. Т. 52, № 12. С. 1094‒1101.
4. Проблемы и перспективы развития рентгеновской литографии / Н. И. Чхало, С. В. Голубев, З. Ф. Красильник, В. Н. Полковников, М. В. Стародубцев // LII Междунар. конф. по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу / АО НТЦ "ПЛАЗМАИОФАН". М., 2025. С. 45. doi: 10.34854/ICPAF.52.2025.1.1.007
5. Многослойные рентгеновские зеркала на основе La/B4C и La/B9C / С. С. Андреев, М. М. Барышева, Н. И. Чхало, С. А. Гусев, А. Е. Пестов, В. Н. Полковников, Д. Н. Рогачев, Н. Н. Салащенко, Ю. А. Вайнер, С. Ю. Зуев // Журн. техн. физики. 2010. Т. 80, вып. 8. С. 93‒100.
6. Лаборатория рентгеновской оптики Физического института П. Н. Лебедева РАН. Разработки. Многослойные рентгеновские зеркала. URL: https://sites.lebedev.ru/ru/LRO/663.html (дата обращения: 08.04.2026).
7. Многопучковая рентгенолитография для формирования глубоких регулярных микроструктур / Б. Г. Гольденберг, А. Г. Лемзяков, А. Г. Зелинский, В. П. Назьмов, В. Ф. Пиндюрин // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2016. № 1. С. 64‒67. doi: 10.7868/S0207352816010133
8. Аристов В. В., Шабельников Л. Г. Современные достижения рентгеновской оптики преломления // УФН. 2008. Т. 178, № 1. С. 61‒83. doi: 10.3367/UFNr.0178.200801c.0061
9. Серов И. Н., Жабрев В. А., Марголин В. И. Проблемы нанотехнологии в современном материаловедении // Физика и химия стекла. 2003. Т. 29, № 2. С. 241‒255.
10. Скупов А. Основные свойства и характеристики современных резистов для электронной литографии // Вектор высоких технологий. 2016. № 8 (29). С. 26‒31.
11. Способ изготовления кремниевых рентгеношаблонов с использованием плазмохимического травления / А. Н. Генцелев, Ф. Н. Дульцев, Б. Г. Гольденберг, К. Э. Купер // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2020. № 8. С. 108‒112. doi: 10.31857/S1028096020080087
12. Генцелев А. Н., Варанд А. В. Определение технологического окна для высокоаспектной рентгенолитографии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2024. Т. 90, № 12. С. 27‒34. doi: 10.26896/1028-6861-2024-90-12-27-34
13. Работы с использованием синхротронного излучения в Новосибирском Научном центре / К. В. Золотарев, А. И. Анчаров, З. С. Винокуров, Б. Г. Гольденберг, Ф. А. Дарьин, В. В. Кривенцов, Г. Н. Кулипанов, К. Э. Купер, А. А. Легкодымов, Г. А. Любас, А. Д. Николенко, К. А. Тен, Б. П. Толочко, М. Р. Шарафутдинов, А. Н. Шмаков, Е. Б. Левичев, П. А. Пиминов, А. Н. Журавлев // Изв. РАН. Сер. физическая. 2023. Т. 87, № 5. С. 614‒626. doi: 10.31857/S0367676522701095
14. Марголин В. И., Шишов С. Е. Перспективы и проблемы нанотехнологий // О национальной доктрине развития в Российской Федерации нанотехнологий: аналитический сб. / Комитет Совета Федерации по науке, культуре, образованию, здравоохранению и экологии. М., 2006. С. 54‒63.
15. ГОСТ Р 52250‒2004. Материалы электронной техники. Резисты для литографических процессов. Общие технические условия. М.: Изд-во стандартов, 2004.
16. Марголин В. И., Тупик В. А. Исследование литографических характеристик электроно- и рентгенорезистов // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 1998. Вып. 1. С. 82–85.
17. Гусев А. И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: Наука-Физматлит, 2007. 416 с.
18. Калинин Б. Д., Плотников Р. И., Речинский А. А. Применение рентгеновской спектрометрии для идентификации органических соединений и материалов // Аналитика и контроль. 2011. Т. 15, № 1. С. 56–63.
19. Назьмов В. П. Глубокая 3D-рентгенолитография на основе высококонтрастного рентгенорезиста // Письма в ЖТФ. 2019. Т. 45, вып. 18. С. 3‒5. doi: 10.1134/S1063785019090256
20. Особенности формирования изображения в составных преломляющих линзах в мягком рентгеновском диапазоне длин волн / П. Ю. Глаголев, Г. Д. Демин, В. И. Корнеев, Н. А. Дюжев // Журн. техн. физики. 2024. Т. 94, вып. 7. С. 1182–1195. doi: 10.61011/JTF.2024.07.58355.177-24
Рецензия
Для цитирования:
Иванов А.А., Марголин В.И., Никифоров А.В., Нгуен В., Петрова Г.В., Протченко А.И., Рассадина А.А., Тупик В.А., Шарова Н.Н., Шолина И.С., Корбут А.В. Рентгеновская литография для реализации наноразмерных изображений. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2026;29(3):44-56. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2026-29-3-44-56
For citation:
Ivanov A.A., Margolin V.I., Nikiforov A.V., Nguyen V., Petrova G.V., Protchenko A.I., Rassadina A.A., Tupik V.A., Sharova N.N., Sholina I.S., Korbut A.V. X-Ray Lithography for Nanoscale Image Formation. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2026;29(3):44-56. (In Russ.) https://doi.org/10.32603/1993-8985-2026-29-3-44-56
JATS XML




























