Selective Photosensitive Structures Based On Au-Algan Schottky Barrier
Abstract
Created and studied selective photosensitive structures based on Au-AlGaN Schottky barrier for the ultraviolet range of the spectrum. The methods of spectrum management photosensitivity by the use of the wide windows and the effects of over-barrier transport structures Au-AlGaN. Photodiodes obtained with a half-width of the spectrum of photosensitivity 5…6 nm wavelengths 351…373 nm and a sensitivity of 140 mA/W.
About the Authors
A. S. Evseenkov
Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
I. A. Lamkin
Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
I. I. Mikhailov
Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
A. V. Solomonov
Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
S. A. Tarasov
Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Future of AlxGal-xN Materials and Device Technology for Ultraviolet Photodetectors / P. Kung, A. Yasan, R. McClintock, S. Darvish, K. Mi, M. Razeghi et al. // Proc. SPIE. 2002. № 4650. P. 199-206.
2. Высокоэффективные приборы на основе барьера Шотки металл-AlGaN / Б. В. Калинин, И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2012. № 5. С. 24-30.
3. Lamkin I., Tarasov S. Ultraviolet Photodiodes Based on Algan Solid Solutions // J. of Physics: Conference Series. 2013. Vol. 461. P. 012025(1-4).
4. Ulmer M., Razeghi M., Bigan E. Ultra-Violet Detectors for Astrophysics // Proc. SPIE. 1995. № 2397: Present and Future. P. 210-216.
5. Research of the Solar-Blind and Visible-Blind Photodetectors, based on the Algan Solid Solutions / I. A. Lamkin, S. A. Tarasov, A. A. Petrov, E. A. Menkovixh, А. В. Solomonov, S. Yu. Kurin // J. of Physics: Conference Series. 2014. Vol. 572. P. 012063(1-6).
6. Menkovich E. A., Tarasov S. A., Lamkin I. A. Luminescence of Nanostructures Based on Semiconductor Nitrides // Functional Materials. 2012. Vol. 19, № 2. P. 233-237.
7. Ламкин И. А., Менькович Е. А., Тарасов С. А. Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия // Науч.-техн. ведомости СПбГПУ. Физ.-мат. науки. 2012. № 3. С. 28-31.
8. Low-Frequency Noise in Al0.4Ga0.6N-Based Schottky Barrier Photodetectors / S. L. Rumyantsev, N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, V. Adivarahan, J. Yang, G. Simin, M. Asif Khan // Applied Physics Letters. 2001. № 79 (6). P. 866-858.
9. Ламкин И. А., Тарасов С. А., Феоктистов А. О. Оптимизация технологии получения омических контактов к эпитаксиальным слоям р-GaN // Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ". 2011. № 5. С. 14-17.
10. Оптимизация параметров контактов металл-твердые растворы AlGaN как основы фотодетекторов для ультрафиолетового диапазона спектра / И. А. Ламкин, С. А. Тарасов, Е. А. Менькович, А. А. Петров // Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2013. Вып. 5. С. 80-84.
Review
For citations:
Evseenkov A.S., Lamkin I.A., Mikhailov I.I., Solomonov A.V., Tarasov S.A. Selective Photosensitive Structures Based On Au-Algan Schottky Barrier. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2016;(1):54-58. (In Russ.)
Views:
420
Email this article 