Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией
Аннотация
Исследуется структура биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ). Рассмотрены конструктивно-технологические параметры, влияющие на пробивное напряжение ячейки БСИТ. Исследованы и получены зависимости пробивного напряжения от геометрии прибора.
Ключевые слова
Об авторах
Т. А. Исмаилов
Дагестанский государственный технический университет
Россия
доктор технических наук (1992), профессор (1994), ректор Дагестан ского государственного технического университета, Заслуженный деятель науки Российской Федерации, действительный член Российской инженерной академии, Международной академии холода Российской Федерации, Международной Нью-Йоркской академии наук, Международной академии информатизации
Россия
доктор технических наук (1992), профессор (1994), ректор Дагестан ского государственного технического университета, Заслуженный деятель науки Российской Федерации, действительный член Российской инженерной академии, Международной академии холода Российской Федерации, Международной Нью-Йоркской академии наук, Международной академии информатизации
А. Р. Шахмаева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
кандидат технических наук (2000), доцент кафедры управления и информатики в технических системах и вычислительной техники
Россия
кандидат технических наук (2000), доцент кафедры управления и информатики в технических системах и вычислительной техники
Б. А. Шангереева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
кандидат технических наук (2006), доцент кафедры теоретической и общей электротехники
Россия
кандидат технических наук (2006), доцент кафедры теоретической и общей электротехники
Список литературы
1. Биполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) / Т. А. Исмаилов, К. А. Магомедов, Х. М. Гаджиев, А. Р. Шахмаева // Вестн. Дагестан. гос. техн. ун-та. Техн. науки. 1998. № 2. С. 97-100.
2. Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Ф. И. Букашев, П. Р. Захарова. М.: Академия, 2012. 252 с.
3. Шахмаева А. Р., Захарова П. Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов // Вестн. Саратов. гос. техн. ун-та. 2012. № 1(63). С. 36-40.
4. Гришина Л. М., Павлов В. В. Полевые транзисторы: справ. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
5. Шахмаева А. Р. Шангереева Б. А., Алиев Ш. Д. Биполярные со статической индукцией транзисторы и некоторые пути совершенствования технологии их изготовления // Вестн. Дагестан. науч. центра. 2007. № 27. С. 23-25.
6. Исмаилов Т. А., Шахмаева А. Р., Фомин Ю. Г. Конструктивно-технологические особенности биполярных со статической индукцией транзисторов // Вестн. Дагестан. гос. тех. ун-та. Техн. науки. 2008. № 10. С. 17-21.
7. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ / под ред. В. М. Халикеева. М.: Изд. дом "Додэка-XXI", 2001. 64 с.
Для цитирования:
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2017;(2):23-27.
For citation:
Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R., Shangereeva B.A. Study of Parameters Affecting Breakdown Voltage of Bipolar Static Induction Transistor. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2017;(2):23-27. (In Russ.)
Просмотров: 205
Послать статью по эл. почте 