Послать статью по эл. почте 
Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией
Аннотация
Ключ. слова
Об авторах
Т. А. ИсмаиловРоссия
доктор технических наук (1992), профессор (1994), ректор Дагестан ского государственного технического университета, Заслуженный деятель науки Российской Федерации, действительный член Российской инженерной академии, Международной академии холода Российской Федерации, Международной Нью-Йоркской академии наук, Международной академии информатизации
А. Р. Шахмаева
Россия
кандидат технических наук (2000), доцент кафедры управления и информатики в технических системах и вычислительной техники
Б. А. Шангереева
Россия
кандидат технических наук (2006), доцент кафедры теоретической и общей электротехники
Список литературы
1. Биполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) / Т. А. Исмаилов, К. А. Магомедов, Х. М. Гаджиев, А. Р. Шахмаева // Вестн. Дагестан. гос. техн. ун-та. Техн. науки. 1998. № 2. С. 97-100.
2. Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Ф. И. Букашев, П. Р. Захарова. М.: Академия, 2012. 252 с.
3. Шахмаева А. Р., Захарова П. Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов // Вестн. Саратов. гос. техн. ун-та. 2012. № 1(63). С. 36-40.
4. Гришина Л. М., Павлов В. В. Полевые транзисторы: справ. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.
5. Шахмаева А. Р. Шангереева Б. А., Алиев Ш. Д. Биполярные со статической индукцией транзисторы и некоторые пути совершенствования технологии их изготовления // Вестн. Дагестан. науч. центра. 2007. № 27. С. 23-25.
6. Исмаилов Т. А., Шахмаева А. Р., Фомин Ю. Г. Конструктивно-технологические особенности биполярных со статической индукцией транзисторов // Вестн. Дагестан. гос. тех. ун-та. Техн. науки. 2008. № 10. С. 17-21.
7. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ / под ред. В. М. Халикеева. М.: Изд. дом "Додэка-XXI", 2001. 64 с.
Дополнительные файлы
Для цитирования: Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2017;(2):23-27.
For citation: Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R., Shangereeva B.A. Study of Parameters Affecting Breakdown Voltage of Bipolar Static Induction Transistor. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2017;(2):23-27. (In Russ.)
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.
