Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией

Полный текст:


Аннотация

Исследуется структура биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ). Рассмотрены конструктивно-технологические параметры, влияющие на пробивное напряжение ячейки БСИТ. Исследованы и получены зависимости пробивного напряжения от геометрии прибора.

Об авторах

Т. А. Исмаилов
Дагестанский государственный технический университет
Россия
доктор технических наук (1992), профессор (1994), ректор Дагестан­ ского государственного технического университета, Заслуженный деятель науки Российской Федерации, действительный член Российской инженерной академии, Международной академии холода Российской Фе­дерации, Международной Нью-Йоркской академии наук, Международной академии информатизации


А. Р. Шахмаева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
кандидат технических наук (2000), доцент кафедры управления и информатики в технических системах и вычислительной техники


Б. А. Шангереева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
кандидат технических наук (2006), доцент кафедры теоретической и общей электротехники


Список литературы

1. Биполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) / Т. А. Исмаилов, К. А. Магомедов, Х. М. Гаджиев, А. Р. Шахмаева // Вестн. Дагестан. гос. техн. ун-та. Техн. науки. 1998. № 2. С. 97-100.

2. Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Ф. И. Букашев, П. Р. Захарова. М.: Академия, 2012. 252 с.

3. Шахмаева А. Р., Захарова П. Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов // Вестн. Саратов. гос. техн. ун-та. 2012. № 1(63). С. 36-40.

4. Гришина Л. М., Павлов В. В. Полевые транзисторы: справ. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.

5. Шахмаева А. Р. Шангереева Б. А., Алиев Ш. Д. Биполярные со статической индукцией транзисторы и некоторые пути совершенствования технологии их изготовления // Вестн. Дагестан. науч. центра. 2007. № 27. С. 23-25.

6. Исмаилов Т. А., Шахмаева А. Р., Фомин Ю. Г. Конструктивно-технологические особенности биполярных со статической индукцией транзисторов // Вестн. Дагестан. гос. тех. ун-та. Техн. науки. 2008. № 10. С. 17-21.

7. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ / под ред. В. М. Халикеева. М.: Изд. дом "Додэка-XXI", 2001. 64 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2017;(2):23-27.

For citation: Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R., Shangereeva B.A. Study of Parameters Affecting Breakdown Voltage of Bipolar Static Induction Transistor. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2017;(2):23-27. (In Russ.)

Просмотров: 14

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)