radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-162Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВENGINEERING DESIGN AND TECHNOLOGIES OF RADIO ELECTRONIC FACILITIESИсследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукциейStudy of Parameters Affecting Breakdown Voltage of Bipolar Static Induction TransistorИсмаиловТ. А.IsmailovT. A.

доктор технических наук (1992), профессор (1994), ректор Дагестан­ ского государственного технического университета, Заслуженный деятель науки Российской Федерации, действительный член Российской инженерной академии, Международной академии холода Российской Фе­дерации, Международной Нью-Йоркской академии наук, Международной академии информатизации

D.Sc. in Engineering (1992), Professor (1994), Chancellor,  Honored Scientist of the RF

dstu@dstu.ruШахмаеваА. Р.ShakhmaevaA. R.

кандидат технических наук (2000), доцент кафедры управления и информатики в технических системах и вычислительной техники

Ph.D. in Engineering (2010), Associate Professor of the Department of Management and Information Technologies in Engineering Systems Computer Engineering, Dean of the Advanced Training and Professional Retraining Faculty

fpk12@mail.ruШангерееваБ. А.ShangereevaB. A.

кандидат технических наук (2006), доцент кафедры теоретической и общей электротехники

Ph.D. in Engineering (2010), Associate Professor of the Department of Theoretical and General Electrical Engineering

bijke@mail.ruДагестанский государственный технический университетРоссияDagestan State Technical UniversityRussian Federation201728042017022327Copyright © Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., 20172017Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А.Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R., Shangereeva B.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/162

Исследуется структура биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ). Рассмотрены конструктивно-технологические параметры, влияющие на пробивное напряжение ячейки БСИТ. Исследованы и получены зависимости пробивного напряжения от геометрии прибора.

The article considers structural and technological parameters affecting breakdown voltage of a BSIT transistor cell. The main objective of the scientific research in that field is optimization of manufacturing techniques of power electronics transistor configurations in order to improve the instrument output characteristics and reliability. One of the key electrical parameters characterizing this instrument is breakdown voltage. In p-n junction at specific value of reverse bias the breakdown effect is present that appears as sharp increase of reverse current in p-n junction. For thermal breakdown to occur the thermal self-heating of the structure is necessary. It takes place in case of considerable reverse current in p-n junction. Typically, thermal breakdown happens after tunnel or avalanche breakdown of p-n junction. Breakdown voltage of real diffused p-n junction is defined by value of avalanche breakdown voltage of spherical part of the junction. Thus, breakdown voltage of p-n of junction strongly depends on its geometry.

ТранзисторприбортехнологияпараметрыхарактеристикаструктуранапряжениезатвористокTransistorInstrumentTechnologyParametersCharacteristicStructureVoltageGateSourceReferencesБиполярные транзисторы со статической индукцией (БСИТ) / Т. А. Исмаилов, К. А. Магомедов, Х. М. Гаджиев, А. Р. Шахмаева // Вестн. Дагестан. гос. техн. ун-та. Техн. науки. 1998. № 2. С. 97-100.Ismailov T. A., Magomedov K. A., Gadzhiev Kh. M., Shakhmaeva A. R. Bipolar Static Induction Transistors (BSIT). Vestnik. Dagestanskogo gosudarstvenno-go tekhnicheskogo universiteta. Tekhnicheskie nauki, 1998, vol. 2, pp. 97-100. (In Russian)Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов / Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Ф. И. Букашев, П. Р. Захарова. М.: Академия, 2012. 252 с.Ismailov T. A., Shakhmaeva A. R., Bukashev F. I., Zakharova P. R. Tekhnologiya, konstruktsii, metody modelirovaniya i primenenie BSIT-tranzistorov [BSIT transistors technology, design, modeling techniques and application]. Moscow, Akademiya, 2012, 252 p. (In Russian)Шахмаева А. Р., Захарова П. Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов // Вестн. Саратов. гос. техн. ун-та. 2012. № 1(63). С. 36-40.Shakhmaeva A. R., Zakharova P. R. Structural and technological methods for improving semiconductor device parameters. Vestnik Saratovskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta, 2012, vol. 1(63), iss. 1, pp. 36-40. (In Russian)Гришина Л. М., Павлов В. В. Полевые транзисторы: справ. М.: Радио и связь, 1982. 72 с.Grishina L. M., Pavlov V. V. Polevye tranzistory. Spravochnik [ Field transistors. Directory]. Moscow, Radio i svyaz', 1982, 72 p. (In Russian)Шахмаева А. Р. Шангереева Б. А., Алиев Ш. Д. Биполярные со статической индукцией транзисторы и некоторые пути совершенствования технологии их изготовления // Вестн. Дагестан. науч. центра. 2007. № 27. С. 23-25.Shakhmaeva A. R. Shangereeva B. A., Aliev Sh. D. Bipolar static induction transistors and some ways to improve their manufacturing technologies. Vestnik Dagestanskogo nauchnogo tsentra, 2007, vol. 27, pp. 23-25. (In Russian)Исмаилов Т. А., Шахмаева А. Р., Фомин Ю. Г. Конструктивно-технологические особенности биполярных со статической индукцией транзисторов // Вестн. Дагестан. гос. тех. ун-та. Техн. науки. 2008. № 10. С. 17-21.Ismailov T. A., Shakhmaeva A. R., Fomin Yu. G. Structural and technological characteristics of bipolar static induction transistors. Vestnik Dage-stanskogo gosudarstvennogo tekhnicheskogo universiteta. Tekhnicheskie nauki, 2008, vol. 10, pp. 17-21. (In Russian)Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ / под ред. В. М. Халикеева. М.: Изд. дом "Додэка-XXI", 2001. 64 с.Khalikeeva V. M. Otechestvennye tranzistory: BSIT, SIT, BTIZ [Transistors of domestic manufacture: BSIT, SIT, IGBT]. Moscow, Izd.dom "Dodeka-XXI", 2001, 64 p. (In Russian)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.