Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире
Аннотация
Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокристаллических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария-стронция на подложках сапфира (r-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария-стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста. Таким образом, можно спроектировать эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках.
Об авторах
А. А. Одинец
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия
Россия
А. В. Тумаркин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия
Россия
Список литературы
1. Narayana J., Larson B. C. Domain epitaxy: A unified Paradigm for Thin Film Growth // J. of Appl. Phys. 2003. Vol. 93, iss. 1. 278.
2. Вендик О. Г. Сегнетоэлектрики находят свою "нишу" среди управляющих устройств СВЧ // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 7. С. 1441-1445.
3. Barium strontium titanate thin film varactors for room-temperature microwave device applications / P. Bao, T. J. Jackson, X. Wang, M. J. Lancaster // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008, Vol. 41, iss. 6. 63001.
4. Challenges and opportunities for multi-functional oxide thin films for voltage tunable radio frequency microwave components / G. Subramanyam, M. W. Cole, N. X. Sun, T. S. Kalkur // J. Appl. Phys. 2013, Vol. 114, iss. 19. 191301.
5. Палатник Л. С., Папиров И. И. Ориентированная кристаллизация. М.: Металлургия, 1964. 409 с.
6. Domain Matched Epitaxial Growth of (111) Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films on (0001) Al2O3 with ZnO Buffer Layer / P. S. Krishnaprasad, A. Aldrin, R. Fredy, M. K. Jayaraj // J. Appl. Phys. 2015, Vol. 117, iss. 12. 124102.
7. Шаскольская М. П. Кристаллография. М.: Высш. шк., 1984. 376 с.
8. Ferroelectric Strontium Titanate Thin Films for Microwave Applications / A. V. Tumarkin, M. M. Gaidukov, A. G. Gagarin, T. B. Samoilova, A. B. Kozyrev // Ferroelectrics. 2012. Vol. 439, iss. 1. P. 49-55.
9. Сверхвысокочастотные свойства сегнетоэлектрических варикондов на основе пленок BaхSr1-хTiO3 с Mg-содержащей добавкой / А. В. Тумаркин, Е. Р. Тепина, Е. А. Ненашева, Н. Ф. Картенко, А. Б. Козырев // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 6. С. 53-57.
Рецензия
Для цитирования:
Одинец А.А., Тумаркин А.В. Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария-стронция на сапфире. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2016;(5):65-68.
For citation:
Odinets A.A., Tumarkin A.V. Domain Matched Epitaxial Growth of BaSrTiO3 thin films on Al2O3. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2016;(5):65-68. (In Russ.)
Просмотров: 378
Послать статью по эл. почте 