Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокристаллических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария-стронция на подложках сапфира (r-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария-стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста. Таким образом, можно спроектировать эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках.
The model of the crystal epitaxial growth of multicomponent films on single crystal substrates with domain corresponds are presented to an example of a solid solution of barium strontium titanate on sapphire substrates (r-cut). Domain matched epitaxial growth involves the matching of the film and substrate lattice planes having a similar structure, by matching domains. Varying the component composition of the solid solution allows to change the domain size in the range sufficient to reduce the mismatch of the lattice of barium strontium titanate and sapphire. Thus, it is possible to design an epitaxial film growth of various solid solutions on single-crystal substrates.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.