Для цитирования:
Афанасьев А.В., Афанасьев П.В., Ильин В.А., Серков А.В., Трушлякова В.В., Чигирев Д.А., Шевченко С.А., Восколович А., Пологов С.А. Электрическая характеризация силовых карбидокремниевых MOSFET с линейным и гексагональным дизайном базовых ячеек. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2025;28(5):54-65. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2025-28-5-54-65
For citation:
Afanasev A.V., Afanasev P.V., Ilyin V.A., Serkov A.V., Trushlyakova V.V., Chigirev D.A., Shevchenko S.A., Voskolovich A., Pologov S.A. Electrical Characterization of Power Silicon Carbide MOSFETs with Linear and Hexagonal Base Cell Designs. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2025;28(5):54-65. (In Russ.) https://doi.org/10.32603/1993-8985-2025-28-5-54-65
Послать статью по эл. почте 