25 сентября 2024 г. на 67-м году жизни после тяжелой болезни скончался выдающийся специалист в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, член-корреспондент РАН, лауреат Государственной премии РФ, премии Правительства Санкт-Петербурга, заместитель директора ФТИ им. А. Ф. Иоффе по научной работе (2009–2015), директор НТЦ микроэлектроники РАН, заведующий кафедрой оптоэлектроники, член редколлегии журнала "Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника" Виктор Михайлович Устинов.

Виктор Михайлович Устинов родился 01 июля 1958 г. Он был широко известным специалистом в области физики и технологии полупроводниковых наногетероструктур, автором и соавтором более 550 научных работ, в том числе 1 монографии и 6 патентов.

В. М. Устинов работал в ФТИ им. А. Ф. Иоффе с 1981 г. после окончания с отличием базовой кафедры оптоэлектроники ЛЭТИ им. В. И. Ульянова (Ленина) при ФТИ им. А. Ф. Иоффе, которой впоследствии руководил. С 2016 г. возглавлял ФГБУН "Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук".

В. М. Устиновым были разработаны технология синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками, созданы инжекционные лазеры на квантовых точках для применений в системах волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), по своим характеристикам превосходящие существующие в настоящее время лазеры на квантовых ямах. Впервые были созданы вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ) на квантовых точках. Таким образом, были созданы научно-технологические основы для разработки полупроводниковых инжекционных лазеров нового поколения. За этот цикл работ В. М. Устинову в 2001 г. была присуждена Государственная премия Российской Федерации в области науки и техники. В 2006 г. В. М. Устинов был избран членом-корреспондентом РАН.

В последние годы научная работа В. М. Усти­нова была сконцентрирована в области разработки технологии синтеза новых полупроводниковых материалов и светоизлучающих приборов на их основе. Была разработана технология получения полупроводниковых гетероструктур для малошумящих и мощных СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем в см- и мм-диапазонах, генераторов, детекторов и умножителей частоты в ТГц-диапазоне.

Помимо работы в редколлегии журнала "Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника" В. М. Устинов являлся главным редактором журнала "Письма в ЖТФ".

В. М. Устинов был удостоен ряда международных и российских научных премий. В 2021 г. он получил премию Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники в номинации "Нанотехнологии – премия им. Ж. И. Алферова".

Память о Викторе Михайловиче Устинове – замечательном ученом и талантливом организаторе науки – навсегда сохранится в наших сердцах.

Antenna Design and Measurement International Conference 2021 (ADMInC'21) is held on November 24-26, 2021 as part of the St. Petersburg Antenna Week 2021 together with the All-Russian Scientific and Technical Conference "Antennas and Radio Wave Propagation 2021" (APP'21) in St. Petersburg Electrotechnical University "LETI" (ETU "LETI"). The event provides ample opportunities to present new scientific results, exchange experience and establish business contacts to researchers in the field of antenna technology, electromagnetics, antenna measurements and wave propagation.

The Conference Proceedings will be published digitally.

The Conference Proceedings will be submitted for inclusion into the IEEE Xplore Digital Library.

Монография профессора кафедры радиотехнической электроники (РТЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Андрея Дмитриевича Григорьева «Terahertz Electronics»,  выпущенная издательством Cambridge Scholars Publishing (Великобритания), переведена на русский язык. В книге рассматриваются свойства электромагнитного излучения терагерцевого диапазона и особенности его взаимодействия с веществом. Показаны причины появления так называемого терагерцевого провала, в котором выходная мощность как квантовых, так и классических источников излучения минимальна по сравнению с соседними диапазонами частот. Дается классификация источников излучения терагерцевого диапазона. Подробно рассмотрены квантовые источники терагерцевого излучения, включая квантовые каскадные лазеры, молекулярные лазеры и генераторы на эффекте Джозефсона. Показано, что использование новых широкозонных полупроводниковых материалов позволяет существенно увеличить рабочую частоту и выходную мощность полупроводниковых генераторов и усилителей, подняв их максимальную рабочую частоту вплоть до нескольких терагерц. Подробно рассмотрены проблемы продвижения вакуумных микроволновых приборов в терагерцевый диапазон частот. Наряду с уже известными источниками - гирорезонансными приборами и лазерами на свободных электронах описаны «классические» микроволновые приборы - клистроны, лампы бегущей и обратной волн, магнетроны и оротроны. Изложены современное состояние этих приборов и перспективы продвижения их в терагерцевый диапазон. Приведены также сведения о конструкции и параметрах детекторов терагерцевого излучения. В приложениях приведены основные сведения об электродинамических и электронно-оптических системах вакуумных электронных приборов, а также о некоторых новых технологиях изготовления их деталей.