Смеситель частот диапазона 13…67 ГГЦ
https://doi.org/10.32603/1993-8985-2023-26-5-89-98
Аннотация
Введение. С каждым годом требования к характеристикам измерительной техники растут. Одной из таких характеристик является полоса пропускания прибора. Данный факт вынуждает создавать широкополосные микросхемы для применения в СВЧ-блоках приборов, таких как векторные анализаторы цепей (ВАЦ) и анализаторы спектра. Одной из микросхем, применяемой в блоках приемников подобного оборудования, является смеситель частот. От диапазона частот смесителя зависит полоса частот приемника и, как следствие, полоса пропускания всего прибора в целом.
Цель работы. Исследование и разработка сверхширокополосной интегральной схемы смесителя частот диапазона 13…67 ГГц на основе технологии квазивертикальных диодов Шоттки на подложке GaAs АО «НПФ "Микран"».
Материалы и методы. Проведен анализ существующих классических и модифицированных вариантов трансформаторов, применяемых в смесителях. Ни один из данных трансформаторов не удовлетворяет требованиям указанной полосы пропускания. Предложена модификация схемы трансформатора, которая позволила добиться рабочего диапазона частот 10…70 ГГц. На базе полученного трансформатора и диодной GaAs-технологии АО «НПФ "Микран"» разработана полная топология смесителя. Проведен электродинамический анализ интегральной схемы. При измерениях применялись ВАЦ до 67 ГГц.
Результаты. Представлены результаты разработки широкополосного смесителя с полосой рабочих частот 10…67 ГГц. Приведено схемотехническое решение на основе балансной схемы с модифицированными трансформаторами и цепью вывода промежуточной частоты. Показаны расчетные зависимости и результаты измерений интегральной схемы смесителя. Полученные потери преобразования в диапазоне от 10 до 67 ГГц не более 10 дБ.
Заключение. Предложен вариант доработки схемы трансформатора, разработан новый широкополосный трансформатор с диапазоном рабочих частот от 10 до 70 ГГц. На его основе выполнено моделирование и изготовлена микросхема смесителя. Данная микросхема может использоваться в приемопередающих блоках современных измерительных приборов. По совокупности характеристик микросхема является аналогом смесителя Marki Mikrowave MM1-1467L.
Ключевые слова
Об авторах
Д. С. ДаниловРоссия
Даниил Сергеевич Данилов, инженер по специальности "Радиотехника" (2015), аспирант, руководитель группы разработки монолитно-интегральных систем. Автор 10 научных работ
кафедра конструирования узлов и деталей радиоэлектронной аппаратуры
департамент информационно-измерительных систем
Сфера научных интересов – СВЧ-микроэлектроника; измерительная техника на СВЧ
634050
пр. Ленина, д. 40
Томск
А. В. Дроздов
Россия
Алексей Викторович Дроздов, кандидат технических наук (2018), ведущий инженер, инженер. Автор более 10 научных работ. Сфера научных интересов – СВЧ-микроэлектроника; измерительная техника СВЧ
603105
ул. Ошарская, д. 95, к. 2
Томск
Нижний Новгород
Ц. М. Батоев
Россия
Цырен Мункобатоевич Батоев, магистр по направлению "Радиотехника" (2023), инженер группы разработки МИС
кафедра сверхвысоких частот и квантовой радиотехники
отдел СВЧ-схемотехники
Сфера научных интересов – СВЧ-микроэлектроника
634050
пр. Ленина, д. 40
Томск
Ю. А. Ламанов
Россия
Юрий Александрович Ламанов, магистр по направлению "Радиотехника" (2023), инженер группы разработки МИС. Автор одной научной публикации
кафедра сверхвысоких частот и квантовой радиотехники
отдел СВЧ-схемотехники
Сфера научных интересов – СВЧ-микроэлектроника; измерительная техника на СВЧ
634050
пр. Ленина, д. 40
Томск
А. С. Загородний
Россия
Андрей Сергеевич Загородний, кандидат технических наук (2014), доцент, начальник отдела. Автор более 30 научных работ
кафедра сверхвысоких частот и квантовой радиотехники
отдел СВЧ-схемотехники
Сфера научных интересов – СВЧ-микроэлектроника; измерительная техника СВЧ
634050
пр. Ленина, д. 40
Томск
Н. Д. Малютин
Россия
Николай Дмитриевич Малютин, доктор технических наук (1993), главный научный сотрудник, профессор. Автор 160 научных работ
НИИ систем электрической связи
кафедра конструирования деталей и узлов радиоэлектронной аппаратуры
Сфера научных интересов – теория связанных полосковых структур; устройства на их основе; измерение параметров материалов, включая нелинейные кристаллы
634050
пр. Ленина, д. 40
Томск
Список литературы
1. Доценко В. В., Малютин Н. Д. Разработки аппаратуры радиолокации, приборостроения и электронной компонентной базы СВЧ: основные результаты выполнения комплексных проектов НИИ систем электрической связи и АО «НПФ "Микран"» // Докл. ТУСУР. 2017. Т. 20, № 3. С. 79–85. doi: 10.21293/1818-0442-2017-20-3-79-85
2. Хибель М. Основы векторного анализа цепей. М.: Издательский дом МЭИ, 2009. 504 с.
3. Раушер К. Основы спектрального анализа – Rhode&Shwarts. М.: Горячая линия – Телеком, 2006. 226 с.
4. A 3 GHz to 10 GHz GaAs double balanced mixer / Y. Pu, Z. Huang, S. Pan, G. Wang // IEEE ITOEC. 2017. P. 1083–1086. doi: 10.1109/ITOEC.2017.8122521
5. A highlylinear double balanced Schottky diode S-band mixer / M. Sudow, K. Andersson, P. A. Nilsson, N. Rorsman // IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett. 2006. Vol. 16, № 6. P. 336–338. doi: 10.1109/LMWC.2006.875625
6. Novel Miniature and Broadband Millimeterwave Monolithic Star Mixers / C. Kuo, C. Kuo, C. Kuo, S. Maas, H. Wang // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2008. Vol. 56, № 4. P. 793–802. doi: 10.1109/TMTT.2008.919063
7. Yeom K. W., Ko D. H. A novel 60-GHz monolithic star mixerusing gate-drain-connected pHEMT diodes // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2005. Vol. 53, № 7. P. 2435–2440. doi: 10.1109/TMTT.2005.850402
8. Maas S. A. Microwave Mixers. 2<sup>nd</sup> ed. Norwood, MA: Artech House, 1993. 384 p.
9. Данилов Д. С., Дроботун Н. Б. GaAs монолитные интегральные схемы широкополосных смесителей частоты на основе диодов с барьером Шоттки // Nanoindustry Russia. 2020. № 13. С. 435–437. doi: 10.22184/1993-8578.2020.13.4s.435.437
10. Drobotun N., Danilov D., Drozdov A. A Decade Bandwidth Mixers Based on Planar Transformers and Quasi-vertical Schottky Diodes Implemented in GaAs MMIC Technology // 2020 50<sup>th</sup> European Microwave Conf. (EuMC). 2021. P. 957–960. doi: 10.23919/EuMC48046.2021.9338211
11. Leong Y., Ang K., Lee C. A derivation of a class of 3-port baluns from symmetrical 4-port networks // Proc. of IEEE MTT-S Intern. Microwave Symp. Digest. Seattle, USA, 2–7 June 2002. P. 1165–1168. doi: 10.1109/MWSYM.2002.1011855
12. Дроздов А. В., Данилов Д. С. Широкополосный симметрирующий трансформатор на основе мостов Маршанда для применения в интегральных микросхемах // Науч. сессия ТУСУР-2015 : материалы докл. Всерос. науч.-техн. конф. студентов, аспирантов и молодых ученых. Томск: В-Спектр, 2013. Т. 2. С. 13–16.
13. Tanaka H., Sasaki Y., Hashimoto T. Unbalanced-to-Balanced Converter. US Patent, no. 6.040.745, 21 March, 2000.
14. Cho C., Gupta K. C. A New Design Procedure for Single Layer and Two-Layer Three-Line Baluns // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1998. Vol. 46, № 12. P. 2514–2519.
15. Kian Sen Ang, Robertson I. D. Analysis and design of impedance-transforming planar Marchand baluns // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2001. Vol. 49, № 2. P. 402–406. doi: 10.1109/22.903108
16. Ahn H., Kim B. Toward Integrated Circuit Size Reduction // IEEE Microwave Magazine. 2008. Vol. 9, iss. 1. P. 65–75.
17. Tunable Impedance Transformer Based on Split Strip Lines / N. D. Malutin, A. V. Andreev, G. A. Malyutin, R. M. Sharabudinov // Proc. of Intern. Siberian Conf. on Control and Communications (SIBCON). Tomsk, Russia, 18–20 Apr. 2019. P. 337.
18. Моделирование диодов с барьером Шоттки для применения в монолитных интегральных схемах СВЧ / А. В. Дроздов, Д. С. Данилов, И. В. Юнусов, Г. Г. Гошин // Докл. ТУСУР. 2018. Т. 21, № 1. С. 28–31. doi: 10.21293/1818-0442-2018-21-1-28-31
19. Drobotun N., Drozdov A. Broadband Microwave Frequency Doublers with Improved Harmonic Suppression Based on Quasi-Vertical GaAs Shottky Diodes // Proc. of the Electronic Design Innovation Conf. EDICON 2017, Shanghai, China, 25–27 Apr. 2017. P. 1–4.
20. Drozdov A. A 20 to 60 GHz Frequency Doubler MMIC Using a Quasi-Vertical GaAs Shottky Diodes // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies (MWENT). Moscow, 14–16 March 2018. P. 1–4.
21. MM1-1467L GaAs MMIC double balanced mixer Marki Microwave. URL: https://www.markimicrowave.com/mixers/mm1-1467l.aspx (дата обращения 20. 05. 2023)
Рецензия
Для цитирования:
Данилов Д.С., Дроздов А.В., Батоев Ц.М., Ламанов Ю.А., Загородний А.С., Малютин Н.Д. Смеситель частот диапазона 13…67 ГГЦ. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2023;26(5):89-98. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2023-26-5-89-98
For citation:
Danilov D.S., Drozdov A.V., Batoev Ts.M., Lamanov Yu.A., Zagorodny A.S., Malyutin N.D. 13…67 GHz Frequency Mixer. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2023;26(5):89-98. (In Russ.) https://doi.org/10.32603/1993-8985-2023-26-5-89-98