Megawatt generator of nanosecond impulses on the basis of carbide-silicon drift diodes with sharp restoration
Abstract
Experimental results of research of switching characteristics of high-voltage carbide-silicon switchboards on the basis of drift diodes with sharp restoration (DDSR) and the generator of nanosecond voltage impulses developed on their basis with a megawatt pulse power are presented. Possibility of a consecutive compression of energy is for the first time shown by the DDSR cascades which are switched on parallel to silicon and carbide-silicon.
About the Authors
A. V. Afanasiev
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
J. A. Demin
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
B. V. Ivanov
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
V. A. Ilin
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
V. V. Luchinin
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
K. A. Serguibchev
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
A. A. Smirnov
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation
Russian Federation
A. F. Kardo-Sysoev
Ioffe institute of RAS (Saint Petersburg)
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Grekhov I. V., Mesyats G. A. Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching // Phys.- Usp. 2005. Vol. 48, № 7. P. 703-712.
2. Дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе карбида кремния / А. В. Афанасьев, Б. В. Иванов, В. А. Ильин и др. // Микроэлектроника СВЧ: Всерос. конф., СПб., 4-7 июня 2012. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. С. 260-262.
3. Высоковольтный миниатюрный карбидокремниевый источник наносекундных импульсов для генерации рентгеновского и микроволнового излучений / А. В. Афанасьев, А. Ф. Кардо-Сысоев, А. А. Смирнов и др. // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 2. С. 30-32.
4. Трехкиловольтный генератор наносекундных импульсов напряжения на 4H-SiC-диодных сборках / А. В. Афанасьев, С. С. Борисенко, А. А. Смирнов и др. // Электроника и микроэлектроника СВЧ: III Всерос. науч.-техн. конф., СПб., 2-5 июня 2014. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 407-412.
5. Kardo-Sysoev A. F. New power semiconductor devices for generation of nano- and subnanosecond pulses // Ultra-wideband radar technology / ed. by J. D. Taylor. London: CRC Press, 2000. P. 205-290.
6. Грехов И. В., Ефанов В. М., Кардо-Сысоев А. Ф. Мощный полупроводниковый генератор пикосекундных импульсов // Приборы и техника эксперимента. 1984. Т. 5, № 5. С.93-93.
Review
For citations:
Afanasiev A.V., Demin J.A., Ivanov B.V., Ilin V.A., Luchinin V.V., Serguibchev K.A., Smirnov A.A., Kardo-Sysoev A.F. Megawatt generator of nanosecond impulses on the basis of carbide-silicon drift diodes with sharp restoration. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2015;(3):21-24. (In Russ.)
Views:
3409
Email this article 