ПРОГРАММИРОВАНИЕ ДВУХБИТНОГО PIN-ДИОДА В СРЕДЕ SYNOPSYS SENTAURUS TCAD
https://doi.org/10.32603/1993-8985-2018-21-5-51-59
Аннотация
Об авторах
А. А. Даниленко
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия
Россия
Даниленко Александр Александрович – бакалавр по направлению "Электроника и наноэлектроника" (2018), магистрант 1-го курса Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" им В. И. Ульянова (Ленина). Автор одной научной публикации. Сфера научных интересов – моделирование устройств микроэлектроники в среде Synopsys Sentaurus TCAD.
ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт-Петербург, 197376, Россия
А. В. Стрыгин
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия
Россия
Стрыгин Антон Владимирович – бакалавр по направлению "Электроника и наноэлектроника" (2018), магистрант 1-го курса Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" им В. И. Ульянова (Ленина). Автор одной научной публикации. Сфера научных интересов – моделирование устройств микроэлектроники в среде Synopsys Sentaurus TCAD.
ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт-Петербург, 197376, Россия
Н. И. Михайлов
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия
Россия
Михайлов Николай Иванович – кандидат физико-математических наук (1982), доцент (1985) кафедры физической электроники и технологии Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" им В. И. Ульянова (Ленина). Автор более 25 научных работ. Сфера научных интересов – математическое и компьютерное моделирование полупроводниковых приборов.
ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт-Петербург, 197376, Россия
В. В. Перепеловский
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)
Россия
Россия
Перепеловский Вадим Всеволодович – кандидат физико-математических наук (1992), доцент (1995) кафедры физической электроники и технологии Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" им В. И. Ульянова (Ленина). Автор более 30 научных публикаций. Сфера научных интересов – моделирование приборов твердотельной электроники.
ул. Профессора Попова, д. 5, Санкт-Петербург, 197376, Россия
Я. Н. Паничев
ПАО “Морион”
Россия
Россия
Паничев Ярослав Николаевич – магистр по направлению "Физическая электроника" (2016) Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина). Инженер-технолог производства кварцевых резонаторов в АО "Морион". Автор четырех научных публикаций. Сфера научных интересов – моделирование приборов твердотельной электроники.
просп. КИМа, 13А, Санкт-Петербург, 199155, Россия
В. В. Марочкин
Pixpolar Oy
Финляндия
Финляндия
Марочкин Владислав Викторович – кандидат физико-математических наук (2016, Финляндия), менеджер проектов в компании Pixpolar. Автор 10 научных работ. Сфера научных интересов – моделирование приборов твердотельной электроники.
10, Metallimiehenkuja, c/o Regus Kora, 02150, Espoo, Finland
В. Л. Иванов
Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Россия
Россия
Иванов Владимир Леонидович – кандидат технических наук (1988), старший научный сотрудник (1991), доцент кафедры теплофизики и теоретических основ теплохладотехники Санкт-Петербургского национального исследовательского университета информационных технологий, механики и оптики. Автор более 50 научных работ. Сфера научных интересов – моделирование объектов и систем управления, энергоресурсосберегающие технологии.
ул. Ломоносова, д. 9, Санкт-Петербург, 191002, Россия
Список литературы
1. Макаров Е. А., Мясников А. М. Приборно-технологическое моделирование с помощью пакета Sentaurus TCAD: учеб.-метод. пособие. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2008. 115 с.
2. Перепеловский В. В., Михайлов Н. И., Марочкин В. В. Разработка электронных устройств в среде Synopsys Sentaurus TCAD: лаб. практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2010. 52 с.
3. Перепеловский В. В., Михайлов Н. И., Марочкин В. В. Введение в приборно-технологическое моделирование устройств микроэлектроники: лаб. практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2011. 49 с.
4. Макарчук В. В., Курейчик В. М., Зотов С. К. Особенности применения системы технологического моделирования TCAD // Инженерный вестн. 2012. Вып. 9. С. 1–7.
5. Окунев А. Ю., Левицкий А. А. Моделирование диодной структуры в среде. URL: http://conf.sfu-kras.ru/sites/mn2014/pdf/d03/s24/s24_014.pdf (дата обращения 07.11.2018)
6. Глушко А. А. Приборно-технологическое моделирование в системе TCAD Sentaurus: учеб.-метод. пособие. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2015. 64 с.
7. Основы работы в среде приборно-технологической САПР SENTAURUS: учеб.-метод. пособие / Р. П. Алексеев, Е. Н. Бормонтов, Г. В. Быкадорова, А. Ю. Ткачев, А. Н. Цоцорин. Воронеж: Изд-во ВГУ, 2017. 96 с.
8. SentaurusTM Device User Guide, Version K-2015.06. URL: http://www.sentaurus.dsod.pl/manuals/ data/sdevice_ug.pdf (дата обращения 07.11.2018)
9. Ultra Low Loss Trench Gate PCI-PiN Diode with VF<350mV. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document /5890796/ (дата обращения 07.11.2018)
10. Responsivity Improvement for Short Wavelenghts Using Full-Gated PIN Lateral SiGe Diode. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/7731366/ (дата обращения 07.11.2018)
11. Программирование однозатворного PIN диода / Д. В. Щукин, Я. Н. Паничев, Н. И. Михайлов, В. В. Перепеловский, В. В. Марочкин // Сб. стат. VI Всерос. конф. " Электроника и микроэлектроника СВЧ". СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2017. С. 475–477.
12. Study of Device Physics in Impact Ionisation MOSFET using Synopsys TCAD tools. URL: https://ieeexplore.ieee.org/document/7002450/ (дата обращения 07.11.2018)
13. Feasibility Study of Semifloating Gate Transistor Gamma-Ray Dosimeter / Ying Wang, Zhi-Qiang Xiang, Hai-Fan Hu, Fei Cao // IEEE Electron Device Letters. 2015. Vol. 36, No 2. P. 99–101.
14. A Semifloating Gate Controlled Camel Diode Radiation Dosimeter/ Ying Wang, Zhi-Qiang Xiang, Yue Hao, and Cheng-Hao Yu // IEEE Transactions on Electron Devices. 2016. Vol. 63, No 5. P. 2200–2204.
15. Shin-ichi Minami, Yoshiaki Kamigaki. A Novel MONOS Nonvolatile Memory Device Ensuring 10-Year Data Retention after 10’ Erase/Write Cycles // IEEE Transactions on Electron Devices. 1993. Vol. 40, No 11. P. 2011–2017.
16. Новиков Ю. Н. Энергонезависимая память, основанная на кремниевых нанокластерах // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43, вып. 8. С. 1078–1083.
17. Memristive device based on a depletion-type SONOS field effect transistor / N. Himmel, M. Ziegler, H. Mähne, S. Thiem, H. Winterfeld, H. Kohlstedt // Semiconductor Science and Technology. 2017. Vol. 32, No 6. article id. 06LT01. doi: 10.1088/1361-6641/aa6c86
Рецензия
Для цитирования:
Даниленко А.А., Стрыгин А.В., Михайлов Н.И., Перепеловский В.В., Паничев Я.Н., Марочкин В.В., Иванов В.Л. ПРОГРАММИРОВАНИЕ ДВУХБИТНОГО PIN-ДИОДА В СРЕДЕ SYNOPSYS SENTAURUS TCAD. Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника. 2018;(5):51-59. https://doi.org/10.32603/1993-8985-2018-21-5-51-59
For citation:
Danilenko A.A., Strygin A.V., Mikhailov N.I., Perepelovsky V.V., Panichev Y.N., Marochkin V.V., Ivanov V.L. PROGRAMMING 2-BIT PIN DIODE IN SYNOPSYS TCAD. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2018;(5):51-59. (In Russ.) https://doi.org/10.32603/1993-8985-2018-21-5-51-59
Просмотров: 802
Послать статью по эл. почте 