Preview

Journal of the Russian Universities. Radioelectronics

Advanced search

Photoconductivity Spectra of Amorphous Hydrogenated Silicon Films with Nanocrystalline Inclusions

Abstract

The technique for the study of amorphous hydrogenated silicon films with nanocrystalline inclusions non-uniformly distributed through the thickness (pm-Si:H) deposited on glass substrates is devised. Photocurrent spectra for the films of various thicknesses are studied when illuminated from the free film surface and from of the glass substrate. The presence of residual photoconductivity and two peaks in photoconductivity spectra of the films are determinated that, apparently, indicates the presence of crystalline and amorphous phases in the films.

About the Authors

V. P. Afanasiev
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation


A. V. Vasilev
Saint Petersburg state electrotechnical university "LETI"
Russian Federation


References

1. Курова И. А., Ормонт Н. Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках pm-Si:H // Физика и техника полупроводников. 2013. Вып. 6. С. 757-760.

2. Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой / А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, J. P. Kleider // Физика и техника полупроводников. 2010. Вып. 4. С. 513-516.

3. Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом / А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, М. В. Хенкин // Физика и техника полупроводников. 2011. Вып. 4. С. 518-523.

4. Thin-film Silicon Solar Cells / ed. by Arvind Shah. Lausanne: EPFL Press, 2010. 430 p.

5. Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния / А. Г. Казанский, О. Г. Кошелев, А. Ю. Сазонов, А. А. Хомич // Физика и техника полупроводников. 2008. Вып. 2. С. 192-194.


Review

For citations:


Afanasiev V.P., Vasilev A.V. Photoconductivity Spectra of Amorphous Hydrogenated Silicon Films with Nanocrystalline Inclusions. Journal of the Russian Universities. Radioelectronics. 2016;(5):57-60. (In Russ.)

Views: 466


Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 1993-8985 (Print)
ISSN 2658-4794 (Online)