<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">radioelectronics</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Известия высших учебных заведений России. Радиоэлектроника</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Journal of the Russian Universities. Radioelectronics</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1993-8985</issn><issn pub-type="epub">2658-4794</issn><publisher><publisher-name>Saint Petersburg Electrotechnical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">radioelectronics-99</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>КВАНТОВАЯ, ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ, ПЛАЗМЕННАЯ И ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>QUANTUM, SOLID-STATE, PLASMA AND VACUUM ELECTRONICS</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Тонкие пленки аморфного гидрогенизированного кремния и солнечные модули на их основе</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Thin Films of Amorphous Hydrogenated Silicon and Solar Modules based on them</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Афанасьев</surname><given-names>В. П.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Afanasiev</surname><given-names>V. P.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">VPAfanasiev@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Теруков</surname><given-names>Е. И.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Terukov</surname><given-names>E. I.</given-names></name></name-alternatives><email xlink:type="simple">eug.terukov@mail.ioffe.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Saint Petersburg Electrotechnical University "LETI"</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Научно-технический центр тонкопленочных технологий при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Scientific and Technical Center of Thin-Film Technologies at Ioffe Institute of RAS</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2016</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>28</day><month>04</month><year>2016</year></pub-date><volume>0</volume><issue>2</issue><fpage>106</fpage><lpage>113</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Афанасьев В.П., Теруков Е.И., 2016</copyright-statement><copyright-year>2016</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Афанасьев В.П., Теруков Е.И.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Afanasiev V.P., Terukov E.I.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://re.eltech.ru/jour/article/view/99">https://re.eltech.ru/jour/article/view/99</self-uri><abstract><p>Солнечная энергетика является одной из самых перспективных отраслей возобновляемой энергетики. В России массовое развитие солнечной энергетики связано с организацией запущенного в феврале 2015 г. на ООО "Хевел" производства тонкопленочных солнечных модулей на основе аморфного кремния, которое призвано создать полноценную высокотехнологичную отрасль солнечной энергетики как альтернативу традиционным источникам энергии. Для поддержки и развития этого производства при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе в 2012 г. начало функционировать ООО "Научно-технический центр тонкопленочных технологий", главная задача которого - улучшение основных параметров солнечных модулей на основе аморфного кремния в интересах ООО "Хевел".</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>Solar energy is one of the most promising sectors of renewable energy. In Russia the mass development of solar energy in connection with the organization launched in February 2015 at "Hevel" production of thin film solar modules based on amorphous silicon, which is intended to create a full-fledged high-tech industry of solar energy as an alternative to traditional energy sources. For support and development of this production open JSC "Scientific and technical center of thin film technology" begin operation at the Ioffe Institute of RAS in 2012, whose main task - improvement of the basic parameters of Solar modules based on amorphous silicon in the interests of "Hevel". </p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>Солнечные модули</kwd><kwd>тонкопленочные технологии</kwd><kwd>аморфный кремний</kwd><kwd>гетеропереход</kwd><kwd>аморфный/монокристаллический кремний</kwd><kwd>подготовка кадров для солнечной энергетики</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>Solar Modules</kwd><kwd>Thin Film Technologies</kwd><kwd>Amorphous Silicon</kwd><kwd>Monocrystal Silicon</kwd><kwd>Heterojunction</kwd><kwd>Training for Solar Energy</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Фортов В. Е., Попель О. С. Энергетика в современном мире. Долгопрудный: Издательский дом "Интеллект", 2011. 168 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Фортов В. Е., Попель О. С. Энергетика в современном мире. Долгопрудный: Издательский дом "Интеллект", 2011. 168 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Первый Международный форум "Возобновляемая энергетика: пути повышения энергетической и экономической эффективности" (REENFOR-2013). URL: http://www.reenfor.org/ (дата обращения 06.05.2016).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Первый Международный форум "Возобновляемая энергетика: пути повышения энергетической и экономической эффективности" (REENFOR-2013). URL: http://www.reenfor.org/ (дата обращения 06.05.2016).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">http://www.megawt.ru/17-programma-ssha-million-solnechnyh-krysh.html (Дата обращения 29.05.2016.)</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">http://www.megawt.ru/17-programma-ssha-million-solnechnyh-krysh.html (Дата обращения 29.05.2016.)</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Гудовских А. С. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. 159 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Гудовских А. С. Границы раздела в солнечных элементах на основе гетероструктур. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. 159 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Tao C. S., Jiang J., Tao M. Natural Resource Limitations to Terawatt-Scale Solarcells // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2011. Vol. 95. P. 3176-3180.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Tao C. S., Jiang J., Tao M. Natural Resource Limitations to Terawatt-Scale Solarcells // Solar Energy Materials and Solar Cells. 2011. Vol. 95. P. 3176-3180.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Solar cell efficiency tables / M. F. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop // Progress in Photovoltaics: Research and application. 2014. Vol. 22. P. 701-710.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Solar cell efficiency tables / M. F. Green, K. Emery, Y. Hishikawa, W. Warta, E. D. Dunlop // Progress in Photovoltaics: Research and application. 2014. Vol. 22. P. 701-710.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Sinton R. A., Cuevas A. Contactless Determination of Current-Voltage Characteristics and Minority-Carrier Lifetimes in Semiconductors from Guasi-Steady-State Photoconductance Data // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69, iss. 17. P. 2510-2512.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Sinton R. A., Cuevas A. Contactless Determination of Current-Voltage Characteristics and Minority-Carrier Lifetimes in Semiconductors from Guasi-Steady-State Photoconductance Data // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69, iss. 17. P. 2510-2512.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
