radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-81Research ArticleМИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКАMICRO- AND NANOELECTRONICSЭффективная диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрической пленки в составе плоскопараллельных и планарных конденсаторовEffective dielectric permittivity of ferroelectric film included in parallel-plate and planar ferroelectric capacitorsГагаринА. Г.GagarinA. G.gagarinaleksandr@yandex.ruЗубкоС. П.ZubkoS. P.spzubko@gmail.comМедведеваН. Ю.MedvedevaN. Y.nyumedvedeva@mail.ruСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)РоссияSaint Petersburg Electrotechnical University "LETI"Russian Federation201628022016015154Copyright © Гагарин А.Г., Зубко С.П., Медведева Н.Ю., 20162016Гагарин А.Г., Зубко С.П., Медведева Н.Ю.Gagarin A.G., Zubko S.P., Medvedeva N.Y.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/81

Экспериментально и теоретически исследованы характеристики плоскопараллельных и планарных сегнетоэлектрических конденсаторов. Исследован размерный эффект в тонкой пленке сегнетоэлектрика Ba0.3Sr0.7TiO3 в составе плоскопараллельных и планарных конденсаторов.

The characteristics of parallel-plate and planar ferroelectric capacitors are investigated experi-mentally and theoretically. The size effect in Ba0.3Sr0.7TiO3 included into parallel-plate and planar capacitors is studied.

Тонкая пленкаразмерный эффектсегнетоэлектрикконденсаторThin filmsize effectferroelectricscapacitorReferencesИзмерение емкости и диэлектрических по-терь планарных конденсаторов на сегнетоэлек-трической плёнке в диапазоне СВЧ / М. М. Гайдуков, А. Б. Козырев, А. С. Рубан и др. // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20, вып. 12. С. 2588-2591.Измерение емкости и диэлектрических по-терь планарных конденсаторов на сегнетоэлек-трической плёнке в диапазоне СВЧ / М. М. Гайдуков, А. Б. Козырев, А. С. Рубан и др. // Радиотехника и электроника. 1975. Т. 20, вып. 12. С. 2588-2591.Вендик О. Г., Зубко С. П., Никольский М. А. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий сегнетоэлек-трический слой // ЖТФ. 1999. T. 69, вып. 4. С. 1-7.Вендик О. Г., Зубко С. П., Никольский М. А. Моделирование и расчет емкости планарного конденсатора, содержащего тонкий сегнетоэлек-трический слой // ЖТФ. 1999. T. 69, вып. 4. С. 1-7.Вендик О. Г., Зубко С. П. Размерный эф-фект в сегнетоэлектриках типа смещения // Кри-сталлография. 2004. Т. 49, вып. 5. С. 1-7.Вендик О. Г., Зубко С. П. Размерный эф-фект в сегнетоэлектриках типа смещения // Кри-сталлография. 2004. Т. 49, вып. 5. С. 1-7.Vendik O. G., Zubko S. P. Ferroelectrics as Constituents of Tunable Metamaterials, in "Theory and Phenomena of Metamaterials" / ed. by F. Capo-lino. Boca Raton: CRC Press, 2009. P. 33-1-33-43.Vendik O. G., Zubko S. P. Ferroelectrics as Constituents of Tunable Metamaterials, in "Theory and Phenomena of Metamaterials" / ed. by F. Capo-lino. Boca Raton: CRC Press, 2009. P. 33-1-33-43.Vendik O. G., Zubko S. P., Medvedeva N. Yu. "Dead Layer" Characteristics Based on a Correlation of the Ferroelectric Polarization under Relevant Boundary Conditions in a Parallel Plate Capacitor // J. Appl. Phis. 2009. Vol. 105, iss. 5. P. 053515(1-4).Vendik O. G., Zubko S. P., Medvedeva N. Yu. "Dead Layer" Characteristics Based on a Correlation of the Ferroelectric Polarization under Relevant Boundary Conditions in a Parallel Plate Capacitor // J. Appl. Phis. 2009. Vol. 105, iss. 5. P. 053515(1-4).Thickness and Dielectric Constant of Dead Layer in Pt/(Ba0.7Sr0.3)TiO3/YBa2Cu3O7-x Capacitor / B. Chen, H. Yang, L. Zhao, J. Miao, B. Xu , X. G. Qiu, B. R. Zhao // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, iss. 4. Р. 583-585.Thickness and Dielectric Constant of Dead Layer in Pt/(Ba0.7Sr0.3)TiO3/YBa2Cu3O7-x Capacitor / B. Chen, H. Yang, L. Zhao, J. Miao, B. Xu , X. G. Qiu, B. R. Zhao // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84, iss. 4. Р. 583-585.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.