radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical University10.32603/1993-8985-2023-26-3-6-31radioelectronics-757Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА СВЧMICROWAVE ELECTRONICSТранзисторы для твердотельных СВЧ-переключателей (обзор)Transistors for Solid-State Microwave Switches (A Review)ТоринаЕ. М.TorinaElena M.

Торина Елена Михайловна – кандидат технических  наук (2016), доцент кафедры формирования и  обработки радиосигналов Национального  исследовательского университета (НИУ) "МЭИ"

Красноказарменная ул., д. 14, Москва, 111250;

старший научный сотрудник ООО "Радиокомп".

Автор более 20 научных работ. Сфера научных  интересов – радиофизика и электроника; устройства  генерирования и формирования радиосигналов.

Elena M. Torina, Cand. Sci. (Eng.) (2016), Associate Professor of the Department of Radio Signal Generation and Processing of NRU "MPEI"

14, Krasnokazarmennaya St., Moscow 111250;

Senior Researcher of Radiocomp LLC.

The author of  more than 20 scientific pa pers. Area of  expertise: radiophysics and electronics; radio signals  oscillators.

dro.em@yandex.ruКочемасовВ. Н.KochemasovVictor N.

Кочемасов Виктор Неофидович – кандидат  технических наук (1976), генеральный директор.

Автор более 150 научных работ, включая четыре  монографии и более сорока авторских свидетельств  на изобретения. Сфера научных интересов –  радиотехника; устройства формирования и  обработки радиосигналов, фильтры СВЧ; синтезаторы частот и сигналов.

пр. Волгоградский, д. 42, Москва, 109316

Victor N. Kochemasov, Cand. Sci. (Eng.) (1976), General  Director of Radiocomp LLC

42, Volgogradsky Ave., Moscow 109316.

Author of over 150 scientific papers, including four  monographs and over forty copyright certificates for  inventions. Area of expertise: radio engineering; devices  for the generation and processing of radio signals;  microwave filters; synthesizers of frequencies and  signals.

kochemasovdv@gmail.comhttps://orcid.org/0000-0001-6507-6573СафинА. Р.SafinAnsar R.

Сафин Ансар Ризаевич – кандидат технических наук  (2014), доцент, заведующий кафедрой формирования  и обработки радиосигналов НИУ "МЭИ"

Красноказарменная ул., д. 14, Москва, 111250;

старший научный сотрудник ИРЭ им. В. А.  Котельникова РАН;

начальник отдела в ООО "Радиокомп".

Автор более 50 научных работ. Сфера научных интересов – радиофизика и электроника; физика магнитных явлений; спинтроника

Ansar R. Safin, Cand. Sci. (Eng.) (2014), Head of the Department of Radio Signal Generation and Processing, NRU "MPEI"

14, Krasnokazarmennaya St., Moscow 111250;

Senior Researcher at the Institute of Radio Technologies  and Electronics of the Russian Academy of Science n. a.  V. A. Kotelnikov;

Head of the Department of Radiocomp  LLC.

The author of more than 50 scientific papers. Area of  expertise: radiophysics and electronics; physics of  magnetic phenomena; spintronics.

arsafin@gmail.comООО "Радиокомп"; Национальный исследовательский университет "МЭИ"Россия"Radiocomp"; National Research University "MPEI"Russian FederationООО "Радиокомп"Россия"Radiocomp"Russian FederationООО "Радиокомп"; Национальный исследовательский университет "МЭИ"; Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАНРоссия"Radiocomp"; National Research University "MPEI"; Kotel'nikov Institute of Radioengineering and Electronics RASRussian Federation202306072023263631Copyright © Торина Е.М., Кочемасов В.Н., Сафин А.Р., 20232023Торина Е.М., Кочемасов В.Н., Сафин А.Р.Torina E.M., Kochemasov V.N., Safin A.R.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/757

Введение. К характеристикам твердотельных СВЧ-переключателей предъявляются различные требования в зависимости от приложения и решаемых технических задач. Естественно, не существует универсального решения, удовлетворяющего сразу всем требованиям. Стремление к совершенствованию параметров переключателей привело к появлению устройств, изготовленных по различным технологиям. Для понимания тенденций развития техники переключателей важно рассмотреть технологии и возможности полупроводниковых приборов, являющихся основой схем переключателей.Цель работы. Обзор типов транзисторов, используемых в твердотельных переключателях.Материалы и методы. В основе поиска и подбора литературы для обзора лежит хронологический принцип. Глубина поиска для рассмотрения параметров конечных компонентов не более 10 лет, для рассмотрения технологий и структурных решений – более 10 лет, ввиду желания проследить историю развития и подходы к созданию полупроводниковых устройств, которые привели к возникновению современной компонентной базы. Конечный массив источников сформирован из научных публикаций, содержащих фактографическую информацию, представленную в обзоре, или дополняющих ее.Результаты. Рассмотрены типы, структуры, материалы, характеристики и технологии изготовления транзисторов, используемых в переключателях. Представлены достижимые параметры переключателей, построенных на рассмотренных приборах.Заключение. Выбор того или иного типа транзистора для переключателей зависит от требований, предъявляемых к параметрам и эксплуатационным характеристикам конечного устройства. На данный момент среди транзисторных решений для переключателей доминируют полевые транзисторы (ПТ) различных типов: GaAs- и GaN-транзисторы с повышенной подвижностью электронов (High Electron Mobility Transistor – HEMT), а также Si КМОП ПТ, реализованные как по стандартной, так и по технологиям "кремний на изоляторе" и "кремний на сапфире". Анализ литературы показал возможные перспективы развития технологии БиКМОП биполярных транзисторов с гетеропереходом.

Introduction. The characteristics of solid-state microwave switches are subject to different requirements depending on the application area and technical problems to be solved. No versatile solution exists that could satisfy all requirements at once. The desire to improve the parameters of switches has led to the emergence of devices based on various technologies. In order to elucidate the current trends and future prospects in the field of switch technologies, semiconductor devices that form the basis of switch circuits should be considered.Aim. To review transistor types used in solid-state switches.Materials and methods. The search and selection of literature sources for review was based on the chronological principle. The search depth for considering the parameters of finished components was no more than 10 years, for considering technologies and structural solutions – more than 10 years. This choice was explained by our desire to trace the history of development and approaches to the creation of semiconductor devices that have led to the emergence of the modern component base. The final array of sources comprised scientific publications presenting factual information on the objects under consideration.Results. The types, structures, materials, characteristics and manufacturing technologies of transistors used in switches are considered. The achievable parameters of the switches based on the considered devices are presented. Conclusion. The choice of a particular transistor type for switches depends on the requirements for the parameters and performance characteristics of the final device. At present, transistor solutions for switches are dominated by field-effect transistors (FETs) of various types: GaAs and GaN transistors with a high electron mobility (HEMT) and Si CMOS FETs implemented by standard as well as silicon-on-insulator and silicon-on-sapphire technologies. The conducted literature review has revealed prospects for the development of technologies based on BiCMOS heterojunction bipolar transistors.

твердотельные переключателиТВПЭКМОПКНИКНСБиКМОПБГТFOMsolid-state switchesHEMTCMOSSOISOSBiCMOSHBTFOMгрант РНФ № 21-79-10396RSF grant no. 21-79-10396ReferencesHindle P. The state of RF and microwave switches // Microwave J. 2010. Vol. 53, № 11. P. 20–36.Hindle P. The State of RF and Microwave Switches. Microwave J. 2010, vol. 53, no. 11, pp. 20–36.Кочемасов В., Дингес С., Шадский В. Твердотельные СВЧ-переключатели средней и большой мощности. Ч. 1 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2019. № 8. С. 108–113. doi: 10.22184/1992-4178.2019.189.8.108.112Kochemasov V., Dinges S., Shadsky V. SolidState Microwave Switches of Medium and High Power. Pt. 1. Electronics: Science, Technology, Business. 2019, no. 8, pp. 108–113. doi: 10.22184/1992-4178.2019.189.8.108.112 (In Russ.)Кочемасов В., Дингес С., Шадский В. Твердотельные СВЧ-переключатели средней и большой мощности. Ч. 2 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2019. № 9. С. 116–131. doi: 10.22184/1992-4178.2019.190.9.116.130Kochemasov V., Dinges S., Shadsky V. SolidState Microwave Switches of Medium and High Power. Pt. 2. Electronics: Science, Technology, Business. 2019, no. 9, pp. 116–131. doi: 10.22184/1992-4178.2019.190.9.116.130 (In Russ.)Кочемасов В., Дингес С., Шадский В. Твердотельные СВЧ-переключатели средней и большой мощности. Ч. 3 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2019. № 10. C. 82–95. doi: 10.22184/1992-4178.2019.191.10.82.94Kochemasov V., Dinges S., Shadsky V. SolidState Microwave Switches of Medium and High Power. Pt. 3. Electronics: Science, Technology, Business. 2019, no. 10, pp. 82–95. doi: 10.22184/1992-4178.2019.191.10.82.94 (In Russ.)Кочемасов В., Дингес С., Шадский В. Твердотельные СВЧ-переключатели средней и большой мощности. Ч. 4 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2020. № 1. C. 142–151. doi: 10.22184/1992-4178.2020.192.1.142.151Kochemasov V., Dinges S., Shadsky V. SolidState Microwave Switches of Medium and High Power. Pt. 4. Electronics: Science, Technology, Business. 2020, no. 1, pp. 142–151. doi: 10.22184/1992-4178.2020.192.1.142.151 (In Russ.)Торина Е. М., Кочемасов В. Н., Сафин А. Р. Переключательные pin-диоды // СВЧ-электроника. 2021. № 4. С. 32–40.Torina E. M., Kochemasov V. N., Safin A. R. Switching pin-diodes. SHF Electronics. 2021, no. 4, pp. 32–40. (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Твердотельные СВЧ-переключатели с высокой скоростью коммутации. Ч. 1 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2020. № 10. C. 70–82. doi: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.70.82Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Solid State Microwave Switches with High Switching Speed. Pt. 1. Electronics: Science, Technology, Business. 2020, no. 10, pp. 70–82. doi: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.70.82 (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Твердотельные СВЧ-переключатели с высокой скоростью коммутации. Ч. 2 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2021. № 1. C. 98–109. doi: 10.22184/1992-4178.2021.202.1.98.108Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Solid State Microwave Switches with High Switching Speed. Pt. 2. Electronics: Science, Technology, Business. 2021, no. 1, pp. 98–109. doi: 10.22184/1992-4178.2021.202.1.98.108 (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Твердотельные СВЧ-переключатели с высокой скоростью коммутации. Ч. 3 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2021. № 3. C. 108–122. doi: 10.22184/1992-4178.2021.204.3.108.122Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Solid State Microwave Switches with High Switching Speed. Pt. 3. Electronics: Science, Technology, Business. 2021, no. 3, pp. 108–122. doi: 10.22184/1992-4178.2021.204.3.108.122 (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Твердотельные СВЧ-переключатели с высокой скоростью коммутации. Ч. 4 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2021. № 4. C. 104–115. doi: 10.22184/1992-4178.2021.205.4.104.115Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Solid State Microwave Switches with High Switching Speed. Pt. 4. Electronics: Science, Technology, Business. 2021, no. 4, pp. 104–115. doi: 10.22184/1992-4178.2021.205.4.104.115 (In Russ.)Кочемасов В., Майстренко А. СВЧ-переключатели на основе МЭМС // СВЧ-электроника. 2016. № 1. C. 36–42.Kochemasov V., Maystrenko A. Microwave Switches Based on MEMS. Microwave Electronics. 2016, no. 1, pp. 36–42. (In Russ.)A 25 THz FCO (6.3 fs RON* COFF) Phase-Change Material RF Switch Fabricated in a High Volume Manufacturing Environment with Demonstrated Cycling > 1 Billion Times / N. El-Hinnawy, G. Slovin, J. Rose, D. Howard // IEEE/MTT-S Intern. Microwave Symp. (IMS). Los Angeles, USA, 4–6 Aug. 2020. Piscataway: IEEE, 2020. P. 45–48. doi: 10.1109/IMS30576.2020.9223973El-Hinnawy N., Slovin G., Rose J., Howard D. A 25 THz FCO (6.3 fs RON* COFF) Phase-Change Material RF Switch Fabricated in a High Volume Manufacturing Environment with Demonstrated Cycling > 1 Billion Times. IEEE/MTT-S Intern. Microwave Symp. (IMS). Los Angeles, USA, 4–6 Aug. 2020. Piscataway, IEEE, 2020, pp. 45–48. doi: 10.1109/IMS30576.2020.9223973Berezniak A. F., Korotkov A. S. Solid-state microwave switches: Circuitry, manufacturing technologies and development trends. Review (pt. 1) // Radioelectronics and Communications Systems. 2013. Vol. 56, № 4. P. 159–177. doi: 10.3103/S0735272713040018Berezniak A. F., Korotkov A. S. Solid-State Microwave Switches: Circuitry, Manufacturing Technologies and Development Trends. Review (part 1). Radioelectronics and Communications Systems. 2013, vol. 56, no. 4, pp. 159–177. doi: 10.3103/S0735272713040018Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Антенные переключатели. Ч. 1 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2022. № 7. С. 102–115.Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Antenna Switches. Pt. 1. Electronics: Science, Technology, Business. 2022, no. 7, pp. 102–115. (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Антенные переключатели. Ч. 2 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2022. № 8. С. 86–99. doi: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.86.99Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Antenna Switches. Pt. 2. Electronics: Science, Technology, Business. 2022, no. 8, pp. 86–99. doi: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.86.99 (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Антенные переключатели. Ч. 3 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2022. № 9. С. 90–97. doi: 10.22184/1992-4178.2022.220.9.90.96Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Antenna Switches. Pt. 3. Electronics: Science, Technology, Business. 2022, no. 9, pp. 90–97. doi: 10.22184/1992-4178.2022.220.9.90.96 (In Russ.)Кочемасов В., Сафин А., Дингес С. Антенные переключатели. Ч. 4 // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2022. № 10. С. 76–91. doi: 10.22184/1992-4178.2022.221.10.76.91Kochemasov V., Safin A., Dinges S. Antenna Switches. Pt. 4. Electronics: Science, Technology, Business. 2022, no. 10, pp. 76–91. doi: 10.22184/1992-4178.2022.221.10.76.91 (In Russ.)Zuleeg R., Notthoff J. K., Lehovec K. Femtojoule high speed planar GaAs E-JFET logic // IEEE Transactions on Electron Devices. 1978. Vol. 25, № 6. P. 628–639.Zuleeg R., Notthoff J. K., Lehovec K. Femtojoule High Speed Planar GaAs E-JFET logic. IEEE Transactions on Electron Devices. 1978, vol. 25, no. 6, pp. 628–639.Zolper J. C., Hietala V. M., Housel M. S. Comparison of GaAs JFETs to MESFETs for high-temperature operation // Sandia National Lab. (SNLNM). 1996. № SAND-96-1418C. P. CONF-9606159-6.Zolper J. C., Hietala V. M., Housel M. S. Comparison of GaAs JFETs to MESFETs for HighTemperature Operation. Sandia National Lab. (SNLNM). 1996, no. SAND-96-1418C, p. CONF-9606159-6.Александров Р. Монолитные интегральные схемы СВЧ: взгляд изнутри // Компоненты и технологии. 2005. № 53. C. 174–182.Alexandrov R. Microwave Monolithic Integrated Circuits: An Inside View. Components and Technologies. 2005, no. 53, pp. 174–182. (In Russ.)Mimura T. The early history of the high electron mobility transistor (HEMT) // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2002. № 50. P. 780–782.Mimura T. The Early History of the High Electron Mobility Transistor (HEMT). IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2002, no. 50, pp. 780–782.A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n–AlxGa1–xAs Heterojunctions / T. Mimura, S. Hiyamizu, T. Fujii, K. Nanbu // Japanese J. of Applied Physics. 1980. Vol. 19, № 5. P. 225–227. doi: 10.1143/JJAP.19.L225Mimura T., Hiyamizu S., Fujii T., Nanbu K. A New Field-Effect Transistor with Selectively Doped GaAs/n–AlxGa1–xAs Heterojunctions. Japanese J. of Applied Physics. 1980, vol. 19, no. 5, pp. 225–227. doi: 10.1143/JJAP.19.L225High switching performance 0.1-μm metamorphic HEMTs for low conversion loss 94-GHz resistive mixers / D. An, B. H. Lee, B. O. Lim, M. K. Lee // IEEE Electron Device Let. 2005. Vol. 26, № 10. P. 707–709. doi: 10.1109/LED.2005.856013An D., Lee B. H., Lim B. O., Lee M. K. High Switching Performance 0.1-μm Metamorphic HEMTs for low Conversion Loss 94-GHz Resistive Mixers. IEEE Electron Device Let. 2005, vol. 26, no. 10, pp. 707–709. doi: 10.1109/LED.2005.856013Денисенко В. Моделирование МОП-транзисторов. Методологический аспект // Компоненты и технологии. 2004. № 43. C. 56–61.Denisenko V. Modeling MOS Transistors. Methodological Aspect. Components and Technologies. 2004, no. 43, pp. 56–61. (In Russ.)Коколов А. А., Бабак Л. И. Методика построения малосигнальной модели СВЧ-транзистора с высокой подвижностью электронов // Докл. Томского гос. ун-та систем управления и радиоэлектроники. 2010. Т. 22, № 2–1. С. 153–156.Kokolov A. A., Babak L. I. A Technique for Constructing a Small-Signal Model of a Microwave Transistor with High Electron Mobility. Reports of the Tomsk State University of Control Systems and Radioelectronics. 2010, vol. 22, no. 2–1, pp. 153–156. (In Russ.)Angelov I., Bengtsson L., Garcia M. Extensions of the Chalmers nonlinear HEMT and MESFET model // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1996. Vol. 44, № 10. P. 1664–1674.Angelov I., Bengtsson L., Garcia M. Extensions of the Chalmers Nonlinear HEMT and MESFET model. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1996, vol. 44, no. 10, pp. 1664–1674.Лазарев А. В., Рахимов С. К. Применение GaAs HEMT-технологии для разработки ММИС МШУ // Инновации. Наука. Образование. 2021. № 33. C. 1376–1381.Lazarev A. V., Rakhimov S. K. Application of GaAs HEMT Technology for the Development of MMIS LNA. Innovations. The Science. Education. 2021, no. 33, pp. 1376–1381. (In Russ.)Kameche M., Drozdovski N. V. GaAs-, InP- and GaN HEMT-based microwave control devices: what is best and why // Microwave J. 2005. Vol. 48, № 5. P. 164–173.Kameche M., Drozdovski N. V. GaAs-, InPand GaN HEMT-Based Microwave Control Devices: What is Best and Why. Microwave J. 2005, vol. 48, no. 5, pp. 164–173.Moore A., Jimenez J. GaN RF Technology for dummies // TriQuint Special Edition. 2015. Vol. 111. P. 5774.Moore A., Jimenez J. GaN RF Technology for Dummies. TriQuint Special Edition. 2015, vol. 111, p. 5774.W-band SPDT switches in planar and tri-gate 100-nm gate-length GaN-HEMT technology / F. Thome, E. Ture, P. Brückner, Q. Rüdiger // 11th German Microwave Conf. Piscataway: IEEE, 2018. P. 331–334. doi: 10.23919/GEMIC.2018.8335097Thome F., Ture E., Brückner P., Rüdiger Q. WBand SPDT Switches in Planar and Tri-Gate 100-nm Gate-Length GaN-HEMT Technology. 11th German Microwave Conf. Piscataway, IEEE, 2018, pp. 331–334. doi: 10.23919/GEMIC.2018.8335097Jie M., Fei Y., HuaiYu T. Millimeter-Wave SPDT Switch MMICs With Travelling Wave Concept // IEEE 5th Intern. Conf. on Integrated Circuits and Microsystems. Piscataway: IEEE, 2020. P. 263–266. doi: 10.1109/ICICM50929.2020.9292161Jie M., Fei Y., HuaiYu T. Millimeter-Wave SPDT Switch MMICs With Travelling Wave Concept. IEEE 5th Intern. Conf. on Integrated Circuits and Microsystems. Piscataway, IEEE, 2020, pp. 263–266. doi: 10.1109/ICICM50929.2020.9292161Thome F., Ambacher O. Highly isolating and broadband single-pole double-throw switches for millimeter-wave applications up to 330 GHz // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2017. Vol. 66, № 4. P. 1998–2009. doi: 10.1109/TMTT.2017.2777980Thome F., Ambacher O. Highly Isolating and Broadband Single-Pole Double-Throw Switches for Millimeter-Wave Applications up to 330 GHz. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2017, vol. 66, no. 4, pp. 1998–2009. doi: 10.1109/TMTT.2017.2777980Meng F., Ma K., Yeo K. S. 2.3 A 130-to- 180GHz 0.0035 mm 2 SPDT switch with 3.3 dB loss and 23.7 dB isolation in 65nm bulk CMOS // IEEE Intern. Solid-State Circuits Conf. Digest of Technical Papers. Piscataway: IEEE, 2015. P. 1–3. doi: 10.1109/isscc.2015.7062852Meng F., Ma K., Yeo K. S. 2.3 A 130-to- 180GHz 0.0035 mm 2 SPDT Switch with 3.3 dB Loss and 23.7 dB Isolation in 65nm Bulk CMOS. IEEE Intern. Solid-State Circuits Conf. Digest of Technical Papers. Piscataway, IEEE, 2015, pp. 1–3. doi: 10.1109/isscc.2015.7062852The state-of-the-art of silicon-on-sapphire CMOS RF switches / D. Kelly, C. Brindle, C. Kemerling, M. Stuber // IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symp. 2005. Piscataway: IEEE, 2005. P. 200–203. doi: 10.1109/CSICS.2005.1531812Kelly D., Brindle C., Kemerling C., Stuber M. The State-of-the-Art of Silicon-on-Sapphire CMOS RF switches. IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symp. 2005. Piscataway, IEEE, 2005, pp. 200–203. doi: 10.1109/CSICS.2005.1531812Comparison of bulk and SOI CMOS Technologies in a DSP Processor Circuit Implementation / P. Simonen, A. Heinonen, M. Kuulusa, J. Nurmi // ICM 2001 Proc. The 13th Intern. Conf. on Microelectronics. Piscataway: IEEE, 2001. P. 107–110. doi: 10.1109/ICM.2001.997499Simonen P., Heinonen A., Kuulusa M., Nurmi J. Comparison of bulk and SOI CMOS Technologies in a DSP Processor Circuit Implementation. ICM 2001 Proc. The 13th Intern. Conf. on Microelectronics. Piscataway, IEEE, 2001, pp. 107–110. doi: 10.1109/ICM.2001.997499Nakamura T., Matsuhashi H., Nagatomo Y. Silicon on sapphire (SOS) device technology // Oki technical review. 2004. Vol. 71, № 4. P. 66–69.Nakamura T., Matsuhashi H., Nagatomo Y. Silicon on Sapphire (SOS) Device Technology. Oki Technical Review. 2004, vol. 71, no. 4, pp. 66–69.Проектирование МОП-переключателей СВЧ-диапазона с высоким уровнем развязки / В. В. Репин, И. И. Мухин, М. Г. Дроздецкий, А. С. Шнитников // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 2015. С. 125–126.Repin V. V., Mukhin I. I., Drozdetsky M. G., Shnitnikov A. S. Designing Microwave Range Mop Switches with a High Level of Decoupling // Microwave Engineering and Telecommunication Technologies (KryMiKo'2015). 2015, pp. 125–126. (In Russ.)Comparison of substrate effects in sapphire, trap-rich and high resistivity silicon substrates for RF-SOI applications / V. Sekar, C. C. Cheng, R. Whatley, Ch. Zeng, A. Zeng, A. Genc, T. Ranta, F. Rotella // IEEE 15th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. Piscataway: IEEE, 2015. P. 37–39.Sekar V., Cheng C.C., Whatley R., Zeng Ch., Zeng A., Genc A., Ranta T., Rotella F. Comparison of Substrate Effects in Sapphire, Trap-Rich and High Resistivity Silicon Substrates for RF-SOI Applications. IEEE 15th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. Piscataway, IEEE, 2015, pp. 37–39.Компактная макромодель КНИ/КНС МОП-транзистора, учитывающая радиационные эффекты / К. О. Петросянц, Л. М. Самбурский, И. А. Харитонов, А. П. Ятманов // Изв. высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 1 (87). С. 20–28.Petrosyants K. O., Sambursky L. M., Kharitonov I. A., Yatmanov A. P. A Compact Macromodel of SOI/SOS MOS Transistors That Takes into Account Radiation Effects. Electronics. 2011, no. 1 (87), pp. 20–28. (In Russ.)Метелкин И. О., Усачев Н. А., Елесин В. В. Модель изолированного МОП-транзистора для проектирования СВЧ-переключателей сигнала // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо'2015). 2015. C. 111–112.Metelkin I. O., Usachev N. A., Yelesin V. V. Model of an Isolated MOS Transistor for Designing Microwave Signal Switches. SHF-technics and telecommunication technologies (KryMiKo'2015). 2015, pp. 111–112. (In Russ.)5G mm-Wave front-end-module design with advanced SOI process / C. Li, M. Wang, T. Chi, A. Kumar // IEEE 12th Intern. Conf. on ASIC. Piscataway: IEEE, 2017. P. 1017–1020. doi: 10.1109/ASICON.2017.8252651Li C., Wang M., Chi Т., Kumar A. 5G mmWave Front-End-Module Design with Advanced SOI Process. IEEE 12th Intern. Conf. on ASIC. Piscataway, IEEE, 2017, pp. 1017–1020. doi: 10.1109/ASICON.2017.8252651Uzunkol M., Rebeiz G. M. 140–220 GHz SPST and SPDT switches in 45 nm CMOS SOI // IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2012. Vol. 22, № 8. P. 412–414.Uzunkol M., Rebeiz G. M. 140–220 GHz SPST and SPDT Switches in 45 nm CMOS SOI. IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2012, vol. 22, no. 8, pp. 412–414.Meng F., Ma K., Yeo K. S. 2.3 A 130-to-180GHz 0.0035 mm 2 SPDT switch with 3.3 dB loss and 23.7 dB isolation in 65nm bulk CMOS // IEEE Intern. Solid-State Circuits Conf. Digest of Technical Papers. Piscataway: IEEE, 2015. P. 1–3. doi: 10.1109/isscc.2015.7062852Meng F., Ma K., Yeo K. S. 2.3 A 130-to-180GHz 0.0035 mm 2 SPDT Switch with 3.3 dB loss and 23.7 dB Isolation in 65nm Bulk CMOS. IEEE Intern. Solid-State Circuits Conf. Digest of Technical Papers. Piscataway, IEEE, 2015, pp. 1–3. doi: 10.1109/isscc.2015.7062852A W-Band SPDT Switch With 15-dBm P1dB in 55-nm Bulk CMOS / L. Chen, Z. G., Y. Sun, T. Hamilton, X. Zhu // IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2022. Vol. 32, № 7. P. 879–882.Chen L., Ge Z., Sun Y., Zhu X. A W-Band SPDT Switch with 15-dBm P1dB in 55-nm Bulk CMOS. IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2022, vol. 32, no. 7, pp. 879–882.Ning R., Liu T., Shen J. Modeling and analysis of stacked depletion-mode NMOS transistors for RF switch applications // IEEE Intern. Conf, on Electro Information Technology. Piscataway: IEEE, 2017. P. 34–38. doi: 10.1109/EDTM.2017.8000254Ning R., Liu T., Shen J. Modeling and Analysis of Stacked Depletion-Mode NMOS Transistors for RF Switch Applications. IEEE Intern. Conf, on Electro Information Technology. Piscataway, IEEE, 2017, pp. 34–38. doi: 10.1109/EDTM.2017.8000254A 94 GHz, 1.4 dB Insertion Loss Single-Pole Double-Throw Switch Using Reverse-Saturated SiGe HBTs / R. L. Schmid, A. C. Ulusoy, P. Song, J. D. Cressler // IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2014. Vol. 24, № 1. P. 56–58. doi: 10.1109/LMWC.2013.2288276Schmid R. L., Ulusoy A. C., Song P., Cressler J. D. A 94 GHz, 1.4 dB Insertion Loss Single-Pole Double-Throw Switch Using Reverse-Saturated SiGe HBTs. IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2014, vol. 24, no. 1, pp. 56–58. doi: 10.1109/LMWC.2013.2288276Ковалев А. Н. Биполярные гетеротранзисторы на основе SiGe и aIIIbv // Изв. высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2008. № 2. С. 4–21.Kovalev, A. N. Bipolar Heterotransistors Based on SiGe and aIIIbv. News of Higher Educational Institutions. Materials of Electronic Engineering. 2008, no. 2, pp. 4–21. (In Russ.)Мухин И. И., Репин В. В. Применение SiGe БиКМОП-технологии для построения МИС дискретного фазовращателя, использующего принцип векторного сложения // Микроэлектроника СВЧ: сб. тр. Всерос. конф. Т. 2. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012. С. 120–122.Mukhin I. I., Repin V. V. Application of SiGe BiCMOS Technology to Build a MIS Discrete Phase Shifter Using the Principle of Vector Addition. Microelectronics Microwave: Proc. of All-Russian Conf. Vol. 2. St Petersburg, Publishing House of SPbETU, 2012, pp. 120–122. (In Russ.)Dong H., Chen J., Hou D. A Compact Bidirectional K and Ka Band SPDT in 0.13μm SiGe BiCMOS Process // IEEE Intern. Symp. on Radio-Frequency Integration Technology. Piscataway: IEEE, 2018. P. 1–3.Dong H., Chen J., Hou D. A Compact Bidirectional K and Ka Band SPDT in 0.13μm SiGe BiCMOS Process. IEEE Intern. Symp. on RadioFrequency Integration Technology. Piscataway, IEEE, 2018, pp. 1–3.Avenier G., Chevalier P., Troillard G. et al. 0.13 μm SiGe BiCMOS technology for mm-wave applications // IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. Piscataway: IEEE, 2008. P. 89–92. doi: 10.1109/BIPOL.2008.4662719Avenier G., Chevalier P., Troillard G. et al. 0.13 μm SiGe BiCMOS Technology for mm-Wave Applications. IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting. Piscataway, IEEE, 2008, pp. 89–92. doi: 10.1109/BIPOL.2008.4662719Ulusoy A. C., Song P., Schmid R. L. et al. A low-loss and high isolation D-band SPDT switch utilizing deep-saturated SiGe HBTs // IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2014. Vol. 24, № 6. P. 400–402. doi: 10.1109/LMWC.2014.2313529Ulusoy A. C., Song P., Schmid R. L. et al. A low-loss and High Isolation D-band SPDT Switch Utilizing Deep-Saturated SiGe HBTs. IEEE Microwave and Wireless Components Let. 2014, vol. 24, no. 6, pp. 400–402. doi: 10.1109/LMWC.2014.2313529

The authors declare that there are no conflicts of interest present.