radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-29Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВENGINEERING DESIGN AND TECHNOLOGIES OF RADIO ELECTRONIC FACILITIESМетодика расчета насыщенного усилителя класса FThe method of calculating saturated class-F amplifierЕфимовичА. П.YefymovychA. P.yefymovych@gmail.comДонецкий национальный университетУкраинаDonetsk national universityUkraine201528062015031321Copyright © Ефимович А.П., 20152015Ефимович А.П.Yefymovych A.P.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/29

Предложена методика расчета насыщенного усилителя класса F. Найдены значения углов отсечки, при которых может быть реализован данный усилитель. Показано, что насыщенный усилитель класса F реализуем в большем диапазоне углов отсечки, чем ненасыщенный усилитель класса F.

The proposed method of calculating the saturated class-F amplifier. The determined values of the cut-off angles at which can be realized this amplifier. It is shown that a saturated class-F amplifier can be realized in high cut-off angle range than an unsaturated class-F amplifier.

Усилитель класса Fстоковый КПДвыходная мощностьнасыщение транзистораClass-F amplifierdrain efficiencyoutput powersaturation of transistorReferencesKazimierczuk M. K. RF power amplifiers. Hoboken, USA: Wiley, 2008. 403 p.Kazimierczuk M. K. RF power amplifiers. Hoboken, USA: Wiley, 2008. 403 p.Colantonio P., Giannini F., Limiti E. High efficiency RF and microwave solid state power amplifiers. Hoboken, USA: Wiley, 2009. 520 p.Colantonio P., Giannini F., Limiti E. High efficiency RF and microwave solid state power amplifiers. Hoboken, USA: Wiley, 2009. 520 p.Raab F. H. Maximum efficiency and output of class-F power amplifiers // IEEE Trans. on microw. theory and tech. 2001. Vol. MTT-49, №. 6. P. 1162-1166.Raab F. H. Maximum efficiency and output of class-F power amplifiers // IEEE Trans. on microw. theory and tech. 2001. Vol. MTT-49, №. 6. P. 1162-1166.Colantonio P., Giannini F., Limiti E. HF class F design guidelines // Proc. XV-th Intern. conf. on microwaves, radar and wireless communications, Warszawa, 17-21 May 2004. Vol. 1 // Telecommunications Research Institute. Poland, Warsawa, 2004. P. 27-38.Colantonio P., Giannini F., Limiti E. HF class F design guidelines // Proc. XV-th Intern. conf. on microwaves, radar and wireless communications, Warszawa, 17-21 May 2004. Vol. 1 // Telecommunications Research Institute. Poland, Warsawa, 2004. P. 27-38.On the class-F power amplifier design / P. Colantonio, F. Giannini, G. Leuzzi, E. Limiti // Intern. J. of RF and microwave computer-aided engineering. 1999. Vol. 9, № 2. P. 129-149.On the class-F power amplifier design / P. Colantonio, F. Giannini, G. Leuzzi, E. Limiti // Intern. J. of RF and microwave computer-aided engineering. 1999. Vol. 9, № 2. P. 129-149.Scott T. Tuned power amplifiers // IEEE Trans. on circuit theory. 1964. Vol. CT-11, № 3. P. 385-388.Scott T. Tuned power amplifiers // IEEE Trans. on circuit theory. 1964. Vol. CT-11, № 3. P. 385-388.Behaviors of class-F and class-F-1 amplifiers / J. Moon, S. Jee, J. Kim et al. // IEEE Trans. on microw. theory and tech. 2012. Vol. MTT-60, № 6. P. 1937-1951.Behaviors of class-F and class-F-1 amplifiers / J. Moon, S. Jee, J. Kim et al. // IEEE Trans. on microw. theory and tech. 2012. Vol. MTT-60, № 6. P. 1937-1951.Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. Исследование энергетических характеристик насыщенного усилителя класса F // Радиотехника: всеукр. межвед. науч.-техн. сб. / ХНУРЭ. Харьков, 2014. № 178. С. 84-92.Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. Исследование энергетических характеристик насыщенного усилителя класса F // Радиотехника: всеукр. межвед. науч.-техн. сб. / ХНУРЭ. Харьков, 2014. № 178. С. 84-92.Ефимович А. П. Области возможных реализаций насыщенного усилителя класса F / Материалы III науч.-техн. конф. с междунар. участием "Наука настоящего и будущего", СПб., 12-13 марта 2015. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2015. С. 79-80.Ефимович А. П. Области возможных реализаций насыщенного усилителя класса F / Материалы III науч.-техн. конф. с междунар. участием "Наука настоящего и будущего", СПб., 12-13 марта 2015. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2015. С. 79-80.Радиопередающие устройства: учеб. для вузов / В. В. Шахгильдян, В. Б. Козырев, А. А. Ляховкин и др.; под ред. В. В. Шахгильдяна. 3-е изд. М.: Радио и связь, 2003. 560 с.Радиопередающие устройства: учеб. для вузов / В. В. Шахгильдян, В. Б. Козырев, А. А. Ляховкин и др.; под ред. В. В. Шахгильдяна. 3-е изд. М.: Радио и связь, 2003. 560 с.Switchman H., Hodges D. Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor circuits // IEEE J. of solid-state circuits. 1968. Vol. SSC-3, № 3. P. 285-289.Switchman H., Hodges D. Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor circuits // IEEE J. of solid-state circuits. 1968. Vol. SSC-3, № 3. P. 285-289.Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 1. С. 3-10.Ефимович А. П., Крыжановский В. Г. Компенсация паразитных элементов транзистора с настройкой импедансов на гармониках в усилителе класса F // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2014. № 1. С. 3-10.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.