radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-147Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА СВЧMICROWAVE ELECTRONICSВлияние давления рабочего газа на компонентный состав и свойства тонких пленок титаната бария-стронцияInfluence of Deposition Pressure on Component Composition and Properties of Barium Strontium Titanate Thin FilmsАлтынниковА. Г.AltynnikovA. G.a.altynnikov@gmail.comГагаринА. Г.GagarinA. G.aggagarin@gmail.comЗлыгостовМ. В.ZlygostovM. V.lkinrj@gmail.comПоповА. Ю.PopovA. Y.apopov_spb@mail.ruРазумовС. В.RazumovS. V.avtumarkin@yandex.ruТумаркинА. В.TumarkinA. V.avtumarkin@yandex.ruСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)РоссияSaint Petersburg Electrotechnical University "LETI"Russian Federation201628122016065356Copyright © Алтынников А.Г., Гагарин А.Г., Злыгостов М.В., Попов А.Ю., Разумов С.В., Тумаркин А.В., 20162016Алтынников А.Г., Гагарин А.Г., Злыгостов М.В., Попов А.Ю., Разумов С.В., Тумаркин А.В.Altynnikov A.G., Gagarin A.G., Zlygostov M.V., Popov A.Y., Razumov S.V., Tumarkin A.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/147

Исследовано влияние давления рабочего газа и тока разряда в процессе ионно-плазменного распыления на параметры осаждаемых сегнетоэлектрических покрытий титаната бария-стронция. Поскольку давление рабочего газа влияет на длину термализации распыленных атомов, его изменение в процессе осаждения позволяет менять компонентный состав осаждаемой пленки. Изменение тока разряда приводит к изменению скорости роста пленки.

Influence of deposition pressure on the properties of ferroelectric barium strontium titanate thin films obtained by RF magnetron sputtering has been investigated. It has been shown that the deposition pressure affects the component composition of the films as the spatial zone of atomic particle thermalization changes significantly. Influence of deposition pressure on growth rate and, hence, on film thickness has been studied.

Высокочастотное магнетронное распылениетонкие пленкититанат бария-стронциядавление рабочего газакомпонентный составрезерфордовское обратное рассеяниедлина термализацииатомно-силовая микроскопияRF magnetron sputteringthin filmsbarium strontium titanate (BST)deposition pressurecompositionRutherford backscattering (RBS)thermalization distancesatomic-force microscopyReferencesAhmed A., Goldthorp I. A., Khandani A. K. Electrically tunable materials for microwave applications // Appl. Phys. Rev. 2015. Vol. 2, iss. 1. P. 011302.Ahmed A., Goldthorp I. A., Khandani A. K. Electrically tunable materials for microwave applications // Appl. Phys. Rev. 2015. Vol. 2, iss. 1. P. 011302.Gevorgian S. Ferroelectrics in Microwave Devices, Circuits and Systems. Physics, Modelling, Fabrication and Measurements. London: Springer, 2009. 416 p.Gevorgian S. Ferroelectrics in Microwave Devices, Circuits and Systems. Physics, Modelling, Fabrication and Measurements. London: Springer, 2009. 416 p.Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications / K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter // J. of Electroceramics. 2003. Vol. 11, iss. 1. P. 5-66.Ferroelectric Materials for Microwave Tunable Applications / K. Tagantsev, V. O. Sherman, K. F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter // J. of Electroceramics. 2003. Vol. 11, iss. 1. P. 5-66.Advances in Ferroelectrics / ed. by A. P. Barranco. Rijeka, Croatia: InTech, 2012. 542 p.Advances in Ferroelectrics / ed. by A. P. Barranco. Rijeka, Croatia: InTech, 2012. 542 p.Сверхвысокочастотные свойства сегнетоэлектрических варикондов на основе пленок BaxSr1-xTiO3 с Mg-содержащей добавкой / А. В. Тумаркин, Е. Р. Тепина, Е. А. Ненашева, Н. Ф. Картенко, А. Б. Козырев // ЖТФ. 2012. Т. 82, вып. 6. С. 53-57.Сверхвысокочастотные свойства сегнетоэлектрических варикондов на основе пленок BaxSr1-xTiO3 с Mg-содержащей добавкой / А. В. Тумаркин, Е. Р. Тепина, Е. А. Ненашева, Н. Ф. Картенко, А. Б. Козырев // ЖТФ. 2012. Т. 82, вып. 6. С. 53-57.Волноводно-щелевой 60 ГГц фазовращатель на основе BSTO сегнетоэлектрической пленки / А. Б. Козырев, М. М. Гайдуков, А. Г. Гагарин, А. В. Тумаркин, С. В. Разумов // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, вып. 6. С. 51-56.Волноводно-щелевой 60 ГГц фазовращатель на основе BSTO сегнетоэлектрической пленки / А. Б. Козырев, М. М. Гайдуков, А. Г. Гагарин, А. В. Тумаркин, С. В. Разумов // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28, вып. 6. С. 51-56.Millimeter-Wave Loaded Line Ferroelectric Phase Shifters / A. Kozyrev, A. Ivanov, O. Soldatenkov, A. Tumarkin, S. Ivanova, T. Kaydanova, J. D. Perkins, J. Alleman, D. S. Ginley, L. Sengupta, L. Chiu, X. Zhang // Integrated Ferroelectrics. 2003. Vol. 55. P. 847-852.Millimeter-Wave Loaded Line Ferroelectric Phase Shifters / A. Kozyrev, A. Ivanov, O. Soldatenkov, A. Tumarkin, S. Ivanova, T. Kaydanova, J. D. Perkins, J. Alleman, D. S. Ginley, L. Sengupta, L. Chiu, X. Zhang // Integrated Ferroelectrics. 2003. Vol. 55. P. 847-852.Влияние температуры подложки на начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на сапфире / А. В. Тумаркин, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, В. В. Афросимов, А. А. Одинец // ФТТ. 2016. Т. 58, вып. 2 С. 354-359.Влияние температуры подложки на начальные стадии роста пленок титаната бария-стронция на сапфире / А. В. Тумаркин, И. Т. Серенков, В. И. Сахаров, В. В. Афросимов, А. А. Одинец // ФТТ. 2016. Т. 58, вып. 2 С. 354-359.Вольпяс В. А., Козырев А. Б. Термализация атомных частиц в газах // ЖЭТФ. 2011. Т. 140, вып. 1. С. 196-204.Вольпяс В. А., Козырев А. Б. Термализация атомных частиц в газах // ЖЭТФ. 2011. Т. 140, вып. 1. С. 196-204.Кукушкин С. А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). М.: Наука, 1996. 304 с.Кукушкин С. А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). М.: Наука, 1996. 304 с.Kukushkin S A. Evolution processes in multicomponent and multiphase films // Thin Solid Films. 1992. Vol. 207, iss. 1-2. P. 302-312.Kukushkin S A. Evolution processes in multicomponent and multiphase films // Thin Solid Films. 1992. Vol. 207, iss. 1-2. P. 302-312.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.