radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-142Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВENGINEERING DESIGN AND TECHNOLOGIES OF RADIO ELECTRONIC FACILITIESКомпьютерное моделирование процессов роста тонких пленок при термическом вакуумном напыленииComputer Simulation of the Thin Film’s Growth Process during Thermal Vacuum EvaporationЧуЧ. Шы.ChuT. Su.chusu171@mail.ruСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)РоссияSaint-Petersburg Electrotechnical UniversityRussian Federation201628122016062231Copyright © Чу Ч.Ш., 20162016Чу Ч.Ш.Chu T.S.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/142

Рассмотрены различные механизмы процесса роста тонких пленок на атомном уровне с учетом различных факторов при термическом вакуумном напылении. Продемонстрировано влияние этих факторов на качество получаемых пленок. При промежуточном механизме процесса роста тонких пленок для определения номера частицы применен метод Монте-Карло, для определения направления движения выбранной частицы - квазиньютоновский решетчатый метод. Проанализирован процесс фрактального роста с учетом всех факторов. Рассмотрены возможности управления процессом роста тонких пленок.

The various thin film growth mechanisms during thermal vacuum evaporation at atomic level are considered under different condition. Which factors and how influence on the quality of obtained thin films was demonstrated. The thin film’s growth process in intermediately (Stranski-Krastanov) mode was simulated based on Monte Carlo method for determination of active particles’ number, and quasi-Newtonian lattice method for determination of optimal direction of particles’ motion. On this model in any given conditions the fractal growth process was analyzed. The phenomenon (opportunity) of the control and management of the growth process of thin films was considered.

Компьютерное моделированиерост тонких пленоктермическое вакуумное напылениеметод Монте-Карлопарный взаимный потенциал Леннарда-Джонсонафрактальная структураComputer SimulationThin Film’s GrowthThermal Vacuum EvaporationMonte Carlo MethodLennard-Jones PotentialFractal StructureReferencesФизико-химические процессы синтеза наноразмерных объектов / В. А. Жабрев, В. Т. Калинников, В. И. Марголин и др. СПб.: Элмор, 2012. 328 с.Физико-химические процессы синтеза наноразмерных объектов / В. А. Жабрев, В. Т. Калинников, В. И. Марголин и др. СПб.: Элмор, 2012. 328 с.Компьютерное моделирование процессов синтеза наноразмерных плёнок / В. И. Марголин, Л. Ю. Аммон, Д. А. Бабичев, В. С. Фантиков, Чу Чонг Шы // Изв. Академии инженерных наук им. А. М. Прохорова. 2015. № 1. С. 7-13.Компьютерное моделирование процессов синтеза наноразмерных плёнок / В. И. Марголин, Л. Ю. Аммон, Д. А. Бабичев, В. С. Фантиков, Чу Чонг Шы // Изв. Академии инженерных наук им. А. М. Прохорова. 2015. № 1. С. 7-13.Modeling Processes of Nanoparticle Synthesis and Analyzing the Results via SEM / V. A. Zhabrev, V. I. Margolin, V. A. Tupik, Chu Trong Su // Bul. of the Russian Academy of Sciences. Physics. 2015. Vol. 79, № 11. P. 1498-1500.Modeling Processes of Nanoparticle Synthesis and Analyzing the Results via SEM / V. A. Zhabrev, V. I. Margolin, V. A. Tupik, Chu Trong Su // Bul. of the Russian Academy of Sciences. Physics. 2015. Vol. 79, № 11. P. 1498-1500.Simulating the Aggregation of Nanoparticles on a Substrate Surface upon Vacuum Deposition / V. A. Zhabrev, V. I. Margolin, V.A. Tupik, Chu Trong Su // J. of Surface Investigation, X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Vol. 9, № 5. P. 877-879.Simulating the Aggregation of Nanoparticles on a Substrate Surface upon Vacuum Deposition / V. A. Zhabrev, V. I. Margolin, V.A. Tupik, Chu Trong Su // J. of Surface Investigation, X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques. 2015. Vol. 9, № 5. P. 877-879.Марголин В. И., Жабрев В. А., Тупик В. А. Физические основы микроэлектроники : учеб. для студ. высш. учеб. заведений. М.: Академия, 2008. 400 с.Марголин В. И., Жабрев В. А., Тупик В. А. Физические основы микроэлектроники : учеб. для студ. высш. учеб. заведений. М.: Академия, 2008. 400 с.Чу Чонг Шы, Бабичев Д. А. Моделирование процессов массопереноса при термическом вакуумном напылении тонких пленок // Сб. докл. 67-й науч.-техн. конф. профессорско-преподавательского состава электротехнического университета "ЛЭТИ", СПб., 27 янв.-3 февр. 2014 г. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 29-33.Чу Чонг Шы, Бабичев Д. А. Моделирование процессов массопереноса при термическом вакуумном напылении тонких пленок // Сб. докл. 67-й науч.-техн. конф. профессорско-преподавательского состава электротехнического университета "ЛЭТИ", СПб., 27 янв.-3 февр. 2014 г. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2014. С. 29-33.Rieth М. Nano-Engineering in Science and Technology: An Introduction to the World of Nano-Design // Series on the Foundations of Natural Science and Technology. Vol. 6. New Jersey: World Scientific, 2003. 163 p.Rieth М. Nano-Engineering in Science and Technology: An Introduction to the World of Nano-Design // Series on the Foundations of Natural Science and Technology. Vol. 6. New Jersey: World Scientific, 2003. 163 p.Ибрагимов И. М., Ковшов А. Н., Назаров Ю. Ф. Основы компьютерного моделирования наносистем. СПб.: Лань, 2010. 376 с.Ибрагимов И. М., Ковшов А. Н., Назаров Ю. Ф. Основы компьютерного моделирования наносистем. СПб.: Лань, 2010. 376 с.Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин и др. М.: Наука, 2006. 490 с.Введение в физику поверхности / К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин и др. М.: Наука, 2006. 490 с.Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ RU 2015610052. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок в потенциальном поле (Рост тонких пленок) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Опубл. 20.02.2015.Свид. о гос. регистр. программы для ЭВМ RU 2015610052. Компьютерное моделирование процесса роста тонких пленок в потенциальном поле (Рост тонких пленок) / В. И. Марголин, Чу Чонг Шы. Опубл. 20.02.2015.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.