radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-135Research ArticleЭЛЕКТРОНИКА СВЧMICROWAVE ELECTRONICSСтруктура и свойства тонких пленок титаната-цирконата бария и титаната-станната бария для сверхвысокочастотных примененийThe Crystal Structure and Properties of Barium Zirconate Titanate and Barium Stannate Titanate Thin Films for Microwave ApplicationsТумаркинА. В.TumarkinA. V.avtumarkin@yandex.ruРазумовС. В.RazumovS. V.avtumarkin@yandex.ruГагаринА. Г.GagarinA. G.aggagarin@gmail.comЧернявскийА. М.CherniavskiiA. M.artblackovsky@gmail.comЯлымовН. А.YalymovN. A.girasin@gmail.comЗлыгостовМ. В.ZlygostovM. V.lkinrj@gmail.comПотешкинаА. А.PoteshkinaA. A.damitriea@yandex.ruУваренковаЮ. А.UvarenkovaY. A.uvarenkova_domen@mail.ruИвановаВ. И.IvanovaV. I.ivanova_domen@mail.ruСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)РоссияSaint Petersburg state electrotechnical university "LETI"Russian FederationСанкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет)РоссияSaint Petersburg State Technological Institute (Technical University)Russian FederationАО «НИИ "Феррит-Домен"»РоссияFerrite Domen Company (Saint Petersburg)Russian Federation201628102016056164Copyright © Тумаркин А.В., Разумов С.В., Гагарин А.Г., Чернявский А.М., Ялымов Н.А., Злыгостов М.В., Потешкина А.А., Уваренкова Ю.А., Иванова В.И., 20162016Тумаркин А.В., Разумов С.В., Гагарин А.Г., Чернявский А.М., Ялымов Н.А., Злыгостов М.В., Потешкина А.А., Уваренкова Ю.А., Иванова В.И.Tumarkin A.V., Razumov S.V., Gagarin A.G., Cherniavskii A.M., Yalymov N.A., Zlygostov M.V., Poteshkina A.A., Uvarenkova Y.A., Ivanova V.I.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/135

Исследованы структурные и высокочастотные диэлектрические свойства тонких пленок сегнетоэлектрических твердых растворов и выращенных методом высокочастотного магнетронного распыления керамических мишеней на подложке Выявлена высокая управляемость диэлектрической проницаемости тонких слоев под действием приложенного электрического поля при приемлемых для сверхвысокочастотных применений диэлектрических потерях.

Structural and radio frequency (RF) dielectric properties of thin films of ferroelectric solid solutions BaZrxTi1-xO3 and BaSnxTi1-xO3 obtained by RF magnetron sputtering of ceramic targets on Pt/ r-cut of Al2O3 sapphire substrate are investigated. A high tunability of thin layers and low values of dielectric loss acceptable for microwave application have been revealed.

Высокочастотное магнетронное распылениетонкие пленкититанат бария-стронциятитанат-цирконат бариятитанат-станнат бариярентгеновская дифрактометрияRadio Frequency Magnetron SputteringThin FilmsBarium Strontium TitanateBarium Zirconate TitanateBarium Stannate TitanateX-ray DiffractionReferencesВендик О. Г. Сегнетоэлектрики находят свою "нишу" среди управляющих устройств СВЧ // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 7. С. 156-160.Вендик О. Г. Сегнетоэлектрики находят свою "нишу" среди управляющих устройств СВЧ // ФТТ. 2009. Т. 51. Вып. 7. С. 156-160.Microwave Properties of Thin BSTO Films Based Varactors for High Frequency Applications Integrated Ferroelectrics / S. V. Razumov, A. V. Tumarkin, A. G. Gagarin, M. V. Sysa, M. M. Gaidukov, P. V. Mironenko, A. V. Zemtsov // Ferroelectrics. 2003. Vol. 55. P. 871-876.Microwave Properties of Thin BSTO Films Based Varactors for High Frequency Applications Integrated Ferroelectrics / S. V. Razumov, A. V. Tumarkin, A. G. Gagarin, M. V. Sysa, M. M. Gaidukov, P. V. Mironenko, A. V. Zemtsov // Ferroelectrics. 2003. Vol. 55. P. 871-876.Enhanced Tunable Properties of Thin Films Grown on Substrates Using MgO Buffer Layers / W. Zhu, J. Cheng, Sh. Yu, J. Gong, Zh. Meng // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 65-69.Enhanced Tunable Properties of Thin Films Grown on Substrates Using MgO Buffer Layers / W. Zhu, J. Cheng, Sh. Yu, J. Gong, Zh. Meng // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. P. 65-69.Hoffmann S., Waser R. M. Dielectric Properties, Leakage Behaviour, and Resistance Degradation of Thin Films of the Solid Solution Series // Integrated Ferroelectrics. 1997. Vol. 17, iss. 1. P. 141-152.Hoffmann S., Waser R. M. Dielectric Properties, Leakage Behaviour, and Resistance Degradation of Thin Films of the Solid Solution Series // Integrated Ferroelectrics. 1997. Vol. 17, iss. 1. P. 141-152.Иванов Д. М., Лукьянова Н. А., Иванова В. И. Высокодобротная керамика для приборов СВЧ диапазона // Петербургский журнал электроники. 2012. Вып. 1(70). С. 18-23.Иванов Д. М., Лукьянова Н. А., Иванова В. И. Высокодобротная керамика для приборов СВЧ диапазона // Петербургский журнал электроники. 2012. Вып. 1(70). С. 18-23.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.