radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical Universityradioelectronics-134Research ArticleКВАНТОВАЯ, ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ, ПЛАЗМЕННАЯ И ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКАQUANTUM, SOLID-STATE, PLASMA AND VACUUM ELECTRONICSСпектры фотопроводимости пленок аморфного гидрогенизированного кремния с нанокристаллическими включениямиPhotoconductivity Spectra of Amorphous Hydrogenated Silicon Films with Nanocrystalline InclusionsАфанасьевВ. П.AfanasievV. P.VPAfanasiev@mail.ruВасильевА. В.VasilevA. V.v.a.v.semimod@gmail.comСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В. И. Ульянова (Ленина)РоссияSaint Petersburg state electrotechnical university "LETI"Russian Federation201628102016055760Copyright © Афанасьев В.П., Васильев А.В., 20162016Афанасьев В.П., Васильев А.В.Afanasiev V.P., Vasilev A.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/134

Разработана методика исследования пленок аморфного гидрогенизированного кремния с неоднородно распределенными по толщине нанокристаллическими включениями (pm-Si:H), осажденных на стеклянные подложки. Исследованы спектры фототока для пленок различной толщины при освещении со стороны свободной поверхности пленки и со стороны стеклянной подложки. Установлено наличие остаточной фотопроводимости, а также двух максимумов в спектрах фотопроводимости пленок, что, по-видимому, свидетельствует о наличии кристаллической и аморфной фаз в пленках.

The technique for the study of amorphous hydrogenated silicon films with nanocrystalline inclusions non-uniformly distributed through the thickness (pm-Si:H) deposited on glass substrates is devised. Photocurrent spectra for the films of various thicknesses are studied when illuminated from the free film surface and from of the glass substrate. The presence of residual photoconductivity and two peaks in photoconductivity spectra of the films are determinated that, apparently, indicates the presence of crystalline and amorphous phases in the films.

спектры фототокаостаточная фотопроводимостьpm-Si:Hpm-Si:HPhotocurrent SpectrumResidual PhotoconductivityReferencesКурова И. А., Ормонт Н. Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках pm-Si:H // Физика и техника полупроводников. 2013. Вып. 6. С. 757-760.Курова И. А., Ормонт Н. Н. О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках pm-Si:H // Физика и техника полупроводников. 2013. Вып. 6. С. 757-760.Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой / А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, J. P. Kleider // Физика и техника полупроводников. 2010. Вып. 4. С. 513-516.Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой / А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, J. P. Kleider // Физика и техника полупроводников. 2010. Вып. 4. С. 513-516.Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом / А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, М. В. Хенкин // Физика и техника полупроводников. 2011. Вып. 4. С. 518-523.Особенности фотоэлектрических и оптических свойств пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных плазмохимическим осаждением из смеси моносилана с водородом / А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, М. В. Хенкин // Физика и техника полупроводников. 2011. Вып. 4. С. 518-523.Thin-film Silicon Solar Cells / ed. by Arvind Shah. Lausanne: EPFL Press, 2010. 430 p.Thin-film Silicon Solar Cells / ed. by Arvind Shah. Lausanne: EPFL Press, 2010. 430 p.Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния / А. Г. Казанский, О. Г. Кошелев, А. Ю. Сазонов, А. А. Хомич // Физика и техника полупроводников. 2008. Вып. 2. С. 192-194.Фотопроводимость тонких пленок аморфного гидрированного кремния / А. Г. Казанский, О. Г. Кошелев, А. Ю. Сазонов, А. А. Хомич // Физика и техника полупроводников. 2008. Вып. 2. С. 192-194.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.