radioelectronicsИзвестия высших учебных заведений России. РадиоэлектроникаJournal of the Russian Universities. Radioelectronics1993-89852658-4794Saint Petersburg Electrotechnical University10.32603/1993-8985-2026-29-1-40-54radioelectronics-1114Research ArticleПРОЕКТИРОВАНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВENGINEERING DESIGN AND TECHNOLOGIES OF RADIO ELECTRONIC FACILITIESРасчет параметров и моделирование системы ионной обработки в вакуумеParameter Calculation and Simulation of a Vacuum Ion Beam Treatment Systemhttps://orcid.org/0000-0002-3002-1246СидороваС. В.SidorovaS. V.

Сидорова Светлана Владимировна – кандидат технических наук (2016), доцент кафедры электронных технологий в машиностроении. Автор более 200 научных работ. Сфера научных интересов – микро- и наноэлектроника; тонкопленочные покрытия и наноразмерные структуры; вакуумные технологические процессы и оборудование.

2-я Бауманская ул., д. 5, стр. 1, Москва, 105005

Svetlana V. Sidorova, Cand. Sci. (Eng.) (2016), Associate Professor of the Department of Electronic Technologies in Mechanical Engineering. The author of more than 200 scientific publications. Area of expertise: micro- and nanoelectronics; thin-film coatings and nanoscale structures; vacuum technological processes and equipment.

sidorova@bmstu.ruhttps://orcid.org/0009-0002-3997-9722КупцовА. Д.KouptsovA. D.

Купцов Алексей Дмитриевич – магистр по специальности "Электроника и наноэлектроника" (2021,ассистент, аспирант кафедры электронных технологий в машиностроении. Автор 54 научных работ. Сфера научных интересов: микроэлектроника; атомно-силовая микроскопия; вакуумные технологические процессы и оборудование.

2-я Бауманская ул., д. 5, стр. 1, Москва, 105005

Alexey D. Kouptsov, Master's Degree in Electronics and Nanoelectronics. Assistant, Postgraduate student of the Department of Electronic Technologies in Mechanical Engineering.The author of 54 scientific publications. Area of expertise: microelectronics; atomic force microscopy; vacuum technological processes and equipment

alex-kouptsov@bmstu.ruhttps://orcid.org/0009-0004-9268-0206ПименовИ. Е.PimenovI. E.

Пименов Илья Евгеньевич – магистр по специальности "Электроник

Пименов Илья Евгеньевич – магистр по специальности "Электроника и наноэлектроника"инженер-конструктор силовой электроники, аспирант. Автор 14 научных работ. Сфера научных интересов: микроэлектроника; СВЧ-электроника; накопители энергии; силовые установки транспортных средств; вакуумные технологические процессы и оборудование

ул. Автомоторная, д. 2, Москва, 125438

 

Ilya E. Pimenov, Master's Degree in Electronics and Nanoelectronics. Postgraduate student. The author of more than 14 scientific publications. Area of expertise: microelectronics; microwave electronics; energy storage; power plants of vehicles; vacuum technological processes and equipment.

iliya.pimenov@nami.ruМосковский государственный технический университет им. Н. Э. БауманаРоссияBauman Moscow State Technical UniversityRussian FederationФедеральное государственное унитарное предприятие "НАМИ"РоссияFederal State Unitary Enterprise "NAMI"Russian Federation2026100320262914054Copyright © Сидорова С.В., Купцов А.Д., Пименов И.Е., 20262026Сидорова С.В., Купцов А.Д., Пименов И.Е.Sidorova S.V., Kouptsov A.D., Pimenov I.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://re.eltech.ru/jour/article/view/1114

Введение. Определение физических и геометрических характеристик плазмы – актуальная задача ионно-плазменных процессов в производстве микро- и наноэлектроники. Энергия ионов, характер взаимодействия с материалами определяют эффективность технологии. Глубина проникновения, импульс иона влияют на коэффициент распыления (Y) материала, являющийся ключевым параметром элионных технологий. Изменение формы ионного пучка влияет на плотность распределения ионов. Ранее проводились исследования изменения конструкции ионного источника для придания пучку кольцевой формы и формы, близкой к распределению Гаусса. Изменение конструкции ионного источника – трудоемкий и дорогостоящий процесс, альтернативным вариантом является использование внешних магнитных систем. Цель работы. Определение физических параметров системы ионной обработки подложек и функциональных слоев для изделий микро- и наноэлектроники. Материалы и методы. Исследования проводятся на кафедре "МТ-11" МГТУ им. Н. Э. Баумана. Исследуемым материалом является кремний и ионы аргона. Технологическое оборудование представлено вакуумной установкой МВТУ-11-1МС. Исследование поперечного скола проводится на микроскопе CROSSBEAM 550. Индукция магнитного поля определяется миллитесламетром ТП2-2У. Результаты. Расчеты и экспериментальные исследования показали, что минимальный Y равен 0.03 атом/ион при энергии 0.05 кэВ, максимальный – 1.35 атом/ион при 7 кэВ, далее происходит уменьшение Y до 1.05 атом/ион при 250 кэВ за счет внедрения ионов в структуру. Внешняя магнитная система источника позволяет изменять угол конусности пучка, что повышает концентрацию ионов в определенной точке на подложке, следовательно, увеличивает эффективность процесса. Заключение. Апробирована методика расчета энергии ионов Ar+ для кольцевого источника ионов при травлении подложки Si. Обработка результатов эксперимента позволила рассчитать Y. Полученные выражения для магнитного поля и распределения магнитных полей будут использованы при моделировании дополнительной внешней магнитной системы, изменяющей форму пучка ионов.

Introduction. Determination of the physical and geometric properties of plasma is a relevant problem in the field of   ion-plasma processes for micro- and nanoelectronics fabrication. The energy of ions and the nature of their interaction with materials define the effectiveness of ion-plasma technologies. The penetration depth and momentum transfer of ions affect the sputtering yield (Y) of the material, which is a key parameter in ion beam technologies. Changes in the ion beam shape have an effect on the ion density distribution. Previous studies have explored the possibility of modifying the design of the ion source to achieve annular or near-Gaussian beam profiles; however, this approach is associated with significant labor and monetary costs. An alternative approach consists in the use of external magnetic systems. Aim. Determination of the physical parameters of a system for ion beam treatment of micro- and nanoelectronic substrates and functional layers. Materials and methods. The research was conducted at the MT-11 Department of Bauman Moscow State Technical University (BMSTU) using the MVTU-11-1MC vacuum system. The material under investigation was silicon and argon ions. Cross-sectional analysis was performed using a CROSSBEAM 550 microscope. The magnetic field strength was determined using a TP2-2U milliteslameter. Results. Calculations and experimental investigations revealed the minimum sputtering yield (Y) to be 0.03 at oms/ion at an energy of 0.05 keV, with the maximum of 1.35 atoms/ion at 7 keV. Subsequently, the sputtering yield decreases to 1.05 atoms/ion at 250 keV due to ion implantation into the lattice structure. The external magnetic system of the source allows the beam cone angle to be modified, which increases the ion concentration at a specific point on the substrate, consequently enhancing the process efficiency. Conclusion. A methodology for calculating the energy of Ar+ ions generated by an annular ion source during Si substrate etching has been validated. Processing of the experimental results enabled the determination of the sputtering yield (Y). The derived expression for the magnetic field strength and magnetic field distribution will be used when simulating an additional external magnetic system designed to manipulate the ion beam shape.

вакуумная установкаисточник ионовкоэффициент распыленияэнергия ионовкремнийсканирующая электронная микроскопияvacuum unition sourcesputtering coefficiention energysiliconscanning electron microscopyReferencesПлазменная технология в производстве СБИС / Д. Толливер, Р. Новицки, Д. Хесс и др.; под ред. Н. Айнспрук, Д. Браун, Е. С. Машкова; пер. с англ. Ю. М. Золотарева, В. В. Юдина. М.: Мир, 1987. 469 с.Tolliver D., Novitski R., Khess D. Plazmennaya tekhnologiya v proizvodstve SBIS [Plasma Technology in VLSI Production]. Ed. by N. Ainspruk, D. Braun, E. S. Mashkova. Moscow, Mir, 1987, 469 p. (In Russ.)Киреев В. Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур. М.: Радио и связь, 1983. 126 с.Kireev V. Yu., Danilin B. S., Kuznetsov V. I. Plazmokhimicheskoe i ionno-khimicheskoe travlenie mikrostruktur [Plasma-Chemical and Ion-Chemical Etching of Microstructures]. Moscow, Radio i svyaz', 1983, 126 p. (In Russ.)Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. 230 с.Ivanovskii G. F., Petrov V. I. Ionno-plazmennaya obrabotka materialov [Ion-Plasma Processing of Materials]. Moscow, Radio i svyaz', 1986, 230 p. (In Russ.)Виноградов Г., Медников К. XORS-200А – базовый модуль травления для массовых производств 65–32 нм // Электроника: наука, технология, бизнес. 2022. № 5. С. 42–48. doi: 10.22184/1992-4178.2022.216.5.42.48Vinogradov G., Mednikov K. XORS-200A Is a Basic Etching Module for 65–32 nm Mass Production. Electronics: Science, Technology, Business. 2022, no. 5, pp. 42–48. (In Russ.) doi: 10.22184/1992-4178.2022.216.5.42.48Брыкин А. Причины системных проблем в развитии радиоэлектронной и электронной промышленности России. Ч. 4: Конец 1970-х – начало 2000-х годов // Электроника: наука, технология, бизнес. 2021. № 7. С. 82–94. doi: 10.22184/1992-4178.2021.208.7.82.94Brykin A. Sources of Systemic Problems in the Development of Radio-Electronic and Electronic Industry in Russia Part 4. Late 70s – Early 2000s. Electronics: Sci ence, Technology, Business. 2021, no. 7, pp. 82–94. doi: 10.22184/1992-4178.2021.208.7.82.94Запевалин А. И. Обзор высокоаспектных процессов травления кремния // Современная техника и технологии. 2014. № 6. URL: https://technology.snauka.ru/2014/06/3970 (дата обращения: 23.06.2025).Zapevalin A. I. An Overview of High-Aspect Process Silicon Etching. Modern Technics and Technologies. 2014, no. 6. Available at: https://technology.snauka.ru/2014/06/3970 (accessed 23.06.2025).Лютович А. С. Ионно-активированная кристаллизация пленок. Ташкент : Фан, 1982. 148 с.Lyutovich A. S. Ionno-aktivirovannaya kristallizatsiya plenok [Ion-activated Crystallization of Films]. Tashkent, Fan, 1982, 148 p. (In Russ.)Панфилов Ю. Нанесение тонких пленок в вакууме // Технологии в электронной промышленности. 2007. № 3. С. 76–80.Panfilov Yu. Deposition of Thin Films in Vacuum. Technologies in the Electronics Industry. 2007, no. 3, pp. 76–80. (In Russ.)Купцов А. Д. Разработка системы отклонения источника ионов // Перспективные материалы и высокоэффективные процессы обработки: сб. науч. тр. по материалам III Всерос. молодежной конф., Саратов, 22–23 мая 2024 г. Саратов: Саратов. гос. техн. ун-т им. Гагарина Ю. А., 2024. С. 134–136.Kuptsov A. D. Razrabotka sistemy otkloneniya istochnika ionov [Development of an Ion Source De flection System]. Advanced Materials and Highly Efficient Processing: Collection of Scientific Papers Based on the Proc. of the III All-Russ. Youth Conf., Saratov, 22– 23 May 2024. Saratov, Saratov State Technical University n. a. Yu. A. Gagarin, 2024, pp. 134–136.Babushkin A. S., Uvarov I. V., Amirov I. I. Effect of low-energy ion-plasma treatment on residual stresses in thin chromium films // Technical Physics. 2018. Vol. 63, № 12. P. 1800–1807. doi: 10.1134/S1063784218120228Babushkin A. S., Uvarov I. V., Amirov I. I. Effect of Low-Energy Ion-Plasma Treatment on Residual Stresses in Thin Chromium Films. Technical Physics. 2018, vol. 63, no. 12, pp. 1800–1807. doi: 10.1134/S1063784218120228Sigmund P. Theory of sputtering. I. Sputtering yield of amorphous and polycrystalline targets // Physical review. 1969. Vol. 184, № 2. С. 383–416. doi: 10.1103/PhysRev.187.768Sigmund P. Theory of Sputtering. I. Sputtering Yield of Amorphous and Polycrystalline Targets. Physical review. 1969, vol. 184, no. 2, pp. 383–416. doi: 10.1103/PhysRev.187.768Behrisch R. Sputtering by particle bombardment I. Physical sputtering of single-element solids. Berlin, Heidelberg: Springer, 1981. 284 p. doi: 10.1007/3-540-10521-2Behrisch R. Sputtering by Particle Bombardment I. Physical Sputtering of Single-Element Solids. Berlin, Heidelberg, Springer, 1981, 284 p. doi: 10.1007/3-540-10521-2Andersen H. H., Bay H. L. Sputtering yield measurements // Sputtering by Particle Bombardment I: Physical Sputtering of Single-Element Solids. Berlin, Heidelberg: Springer, 2005. P. 145–218. doi: 10.1007/3540105212_9Andersen H. H., Bay H. L. Sputtering Yield Measurements. Sputtering by Particle Bombardment I: Physical Sputtering of Single-Element Solids. Berlin, Heidelberg, Springer, 2005, pp. 145–218. doi: 10.1007/3540105212_9Absolute sputtering yield of Ti/TiN by Ar+ /N+ at 400–700 eV / R. Ranjan, J. P. Allain, M. R. Hendricks, D. N. Ruzic // J. of Vacuum Science & Technology A. 2001. Vol. 19, № 3. P. 1004–1007. doi: 10.1116/1.1362678Ranjan R., Allain J. P., Hendricks M. R., Ruzic D. N. Absolute sputtering yield of Ti/TiN by Ar+ /N+ at 400–700 eV. J. of Vacuum Science & Technology A. 2001, vol. 19, no. 3, pp. 1004–1007. doi: 10.1116/1.1362678Eckstein W. Sputtering yields // Vacuum. 2008. Vol. 82, iss. 9. P. 930–934. doi: 10.1016/j.vacuum.2007.12.004Eckstein W. Sputtering Yields. Vacuum. 2008, vol. 82, iss. 9, pp. 930–934. doi: 10.1016/j.vacuum.2007.12.004Данилин Б. С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. М.: Энергоатомиздат, 1989. 326 с.Danilin B. S. Primenenie nizkotemperaturnoi plazmy dlya naneseniya tonkikh plenok [Application of Low-Temperature Plasma for Thin Film Deposition]. Moscow, Energoatomizdat, 1989, 326 p. (In Russ.)Design of a liquid-phase magnetron sputtering small-sized source for the vacuum coating system MVTU-11-1MS / A. D. Kouptsov, D. D. Vasilev, S. V. Sidorova, K. M. Moiseev // J. of Physics: Conf. Ser. 2021. Vol. 1799, № 1. Art. № 012016. doi: 10.1088/1742-6596/1799/1/012016Kouptsov A. D., Vasilev D. D., Sidorova S. V., Moiseev K. M. Design of a Liquid-Phase Magnetron Sputtering Small-Sized Source for the Vacuum Coating System MVTU-11-1MS. J. of Physics: Conf. Ser. 2021, vol. 1799, no. 1, art. no. 012016. doi: 10.1088/1742-6596/1799/1/012016Zalm P. C. Energy dependence of the sputtering yield of silicon bombarded with neon, argon, krypton and xenon ions // J. of Applied Physics. 1983. Vol. 54, № 5. P. 2660–2666. doi: 10.1063/1.332340Zalm P. C. Energy Dependence of the Sputtering Yield of Silicon Bombarded with Neon, Argon, Krypton and Xenon Ions. J. of Applied Physics. 1983, vol. 54, no. 5, pp. 2660–2666. doi: 10.1063/1.332340Gschneider K. A. Specific-heats of graphite in tercalation compounds // Solid State Physics. 1964. Vol. 16, № 4. P. 275–282.Gschneider K. A. Specific-Heats of Graphite Intercalation Compounds. Solid State Physics. 1964, vol. 16, no. 4, pp. 275–282.Andersen H. H., Bay H. L. Heavy‐ion sputter ing yield of silicon // J. of Applied Physics. 1975. Vol. 46, № 5. P. 1919–1921. doi: 10.1063/1.321889Andersen H. H., Bay H. L. Heavy‐Ion Sputtering Yield of Silicon. J. of Applied Physics. 1975, vol. 46, no. 5, pp. 1919–1921. doi: 10.1063/1.321889Wilson W. D., Haggmark L. G., Biersack J. P. Calculations of nuclear stopping, ranges, and straggling in the low-energy region // Physical Review B. 1977. Vol. 15, № 5. Art. № 2458. doi: 10.1103/PhysRevB.15.2458Wilson W. D., Haggmark L. G., Biersack J. P. Calculations of Nuclear Stopping, Ranges, and Straggling in the Low-Energy Region. Physical Review B. 1977, vol. 15, no. 5, art. no. 2458. doi: 10.1103/PhysRevB.15.2458Tachi S., Miyake K., Tokuyama T. Chemical and Physical Roles of Individual Reactive Ions in Si Dry Etching // Japanese J. of Applied Physics. 1982. Vol. 21, № S1. С. 141.Tachi S., Miyake K., Tokuyama T. Chemical and Physical Roles of Individual Reactive Ions in Si Dry Etching. Japanese J. of Applied Physics. 1982, vol. 21, no. S1, p. 141.Kirschner J., Etzkorn H. W. Sputtering of amor phous silicon films by 0.5 to 5 keV Ar+ ions // Applications of Surface Science. 1979. Vol. 3, № 2. P. 251–271. doi: 10.1016/0378-5963(79)90024-2Kirschner J., Etzkorn H. W. Sputtering of Amorphous Silicon Films by 0.5 to 5 keV Ar+ Ions. Applications of Surface Science. 1979, vol. 3, no. 2, pp. 251–271. doi: 10.1016/0378-5963(79)90024-2Coburn J. W., Winters H. F., Chuang T. J. Ion‐ surface interactions in plasma etching // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. P. 3532–3540. doi: 10.1063/1.324150Coburn J. W., Winters H. F., Chuang T. J. Ion‐ Surface Interactions in Plasma Etching. J. Appl. Phys. 1977, vol. 48, pp. 3532–3540. doi: 10.1063/1.324150The sputtering of PtSi and NiSi / J. M. Poate, W. L. Brown, R. Homer, W. M. Augustyniak, J. W. Mayer, K. N. Tu, W. F. van der Weg // Nuclear Instruments and Methods. 1976. Vol. 132. P. 345–349. doi: 10.1016/0029-554X(76)90756-4Poate J. M., Brown W. L., Homer R., Au gustyniak W. M., Mayer J. W., Tu K. N., van der Weg W. F. The sputtering of PtSi and NiSi. Nuclear Instruments and Methods. 1976, vol. 132, pp. 345–349. doi: 10.1016/0029-554X(76)90756-4Southern A. L., Willis W. R., Robinson M. T. Sputtering Experiments with 1‐ to 5‐keV Ar+ Ions // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. P. 153–163. doi: 10.1063/1.1729057Southern A. L., Willis W. R., Robinson M. T. Sputtering Experiments with 1‐ to 5‐keV Ar+ Ions. J. Appl. Phys. 1963, vol. 34, pp. 153–163. doi: 10.1063/1.1729057Blank P., Wittmaack K. Energy and fluence de pendence of the sputtering yield of silicon bombarded with argon and xenon // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50, № 3. P. 1519–1528. doi: 10.1063/1.326140Blank P., Wittmaack K. Energy and Fluence Dependence of the Sputtering Yield of Silicon Bom barded With Argon And Xenon. J. Appl. Phys. 1979, vol. 50, no. 3, pp. 1519–1528. doi: 10.1063/1.326140Wittmaack K., Poker D. B. Interface broaden ing in sputter depth profiling through alternating layers of isotopically purified silicon: I. Experimental results // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1990. Vol. 47, № 3. P. 224–235.Wittmaack K., Poker D. B. Interface Broadening in Sputter Depth Profiling through Alternating Layers of Isotopically Purified Silicon: I. Experimental Results. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 1990, vol. 47, no. 3, pp. 224–235.Near threshold sputtering of Si and SiO2 in a Cl2 environment / D. J. Oostra, R. P. van Ingen, A. Haring, A. E. de Vries, G. N. A. van Veen // Applied Phys ics Let. 1987. Vol. 50, № 21. P. 1506–1508. doi: 10.1063/1.97814Oostra D. J., van Ingen R. P., Haring A., de Vries A. E., van Veen G. N. A. Near Threshold Sputtering of Si and SiO 2 in a Cl2 Environment. Applied Phys ics Let. 1987, vol. 50, no. 21, pp. 1506–1508. doi: 10.1063/1.97814LaegreidN., Wehner G. K. Sputtering yields of metals for Ar+ and Ne+ ions with energies from 50 to 600 eV // J. of Applied Physics. 1961. Vol. 32, № 3. P. 365–369. doi: 10.1063/1.1736012LaegreidN., Wehner G. K. Sputtering Yields of Metals for Ar+ and Ne+ Ions with Energies from 50 to 600 eV. J. of Applied Physics. 1961, vol. 32, no. 3, pp. 365–369. doi: 10.1063/1.1736012Sputtering Data / W. Eckstein, C. Garcı´a Rosales, J. Roth, W. Ottenberger. Garching: M@:unchen, 1993. 342 p.Eckstein W., Garcı´a-Rosales C., Roth J., Ottenberger W. Sputtering Data. Garching, M@:unchen, 1993, 342 p.Gerlach-Meyer U., Coburn J. W., Kay E. Ion enhanced gas-surface chemistry: The influence of the mass of the incident ion // Surface Science. 1981. Vol. 103, № 1. P. 177–188. doi: 10.1016/0039-6028(81)90106-0Gerlach-Meyer U., Coburn J. W., Kay E. Ion enhanced gas-surface chemistry: The influence of the mass of the incident ion. Surface Science. 1981, vol. 103, no. 1, pp. 177–188. doi: 10.1016/0039-6028(81)90106-0Robinson M. T., Oen O. S. The channeling of energetic atoms in crystal lattices // Appl. Phys. Let. 1963. Vol. 2, № 2. P. 30–32. doi: 10.1063/1.1753757Robinson M. T., Oen O. S. The Channeling of Energetic Atoms in Crystal Lattices. Appl. Phys. Let. 1963, vol. 2, no. 2, pp. 30–32. doi: 10.1063/1.1753757EerNisse E.P. Sputtering and strain of silicon by ion implantation // J. of Applied Physics. 1971. Vol. 42. P. 480–482. doi: 10.1063/1.1659630EerNisse E. P. Sputtering and Strain of Silicon By Ion Implantation. J. of Applied Physics. 1971, vol. 42, pp. 480–482. doi: 10.1063/1.1659630Основы технологии электронной компонентной базы / А. А. Голишников, А. Ю. Красюков, С. А. Поломошнов, М. Г. Путря, В. И. Шевяков; под ред. Ю. А. Чаплыгина. М.: МИЭТ, 2013. 176 с.Golishnikov A. A., Krasyukov A. Yu., Polo moshnov S. A., Putrya M. G., Shevyakov V. I. Osnovy tekhnologii elektronnoi komponentnoi bazy [Funda mentals of Electronic Component Base Technology]. Ed. by Yu. A. Chaplygina. Moscow, MIET, 2013, 176 p. (In Russ.)Weber T. A. Surface Reconstruction of SI (100) // MRS Online Proc. Library (OPL). 1985. Vol. 63. P. 163–166. doi: 10.1557/PROC-63-163Weber T. A. Surface Reconstruction of SI (100). MRS Online Proc. Library (OPL). 1985, vol. 63, pp. 163–166. doi: 10.1557/PROC-63-163Ramstad A., Brocks G., Kelly P. J. Theoretical study of the Si (100) surface reconstruction // Physical Review B. 1995. Vol. 51, № 20. Art. № 14504. doi: 10.1103/PhysRevB.51.14504.Ramstad A., Brocks G., Kelly P. J. Theoretical Study of the Si (100) Surface Reconstruction. Physical Review B. 1995, vol. 51, no. 20, art. no. 14504. doi: 10.1103/PhysRevB.51.14504Управление формой пучка технологического ионного источника для высокоточной обработки поверхности / Д. В. Духопельников, Е. В. Воробьев, С. Г. Ивахненко, Д. В. Кириллов // Вестн. Моск. гос. техн. ун-та им. Н. Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2017. № 3 (72). С. 24–36. doi: 10.18698/1812-3368-2017-3-24-36Dukhopel'nikov D. V., Vorob'ev E. V., Ivakhnenko S. G., Kirillov D. V. Shape Control of the Technological Ion Source Beam for High-Precision Surface Treatment. Herald of the Bauman Moscow State Technical University. Series Natural Sciences. 2017, no. 3 (72), pp. 24–36. doi: 10.18698/1812-3368-2017-3-24-36

The authors declare that there are no conflicts of interest present.